CdZnTe film; Ar pressure; close-spaced sublimation;
机译:底物对蒸发多晶Cdznte薄膜结构,光学,电气和形态学性能的影响
机译:Ar等离子体刻蚀时间对CdZnTe薄膜微结构,光学和光电性能的影响
机译:Ar等离子刻蚀时间对CdZnTe薄膜的微观结构,光学和光电性能的影响(转载)
机译:Ar压力对多晶Cdznte薄膜性能的影响
机译:微波等离子体辅助CVD多晶金刚石膜在较高压力条件下的沉积。
机译:直流磁控溅射性能的改进含保留Ar原子的Al掺杂ZnO多晶膜10nm厚的缓冲层
机译:激光退火对CdZnTe多晶厚膜表面性能的影响