机译:通过区域控制的曝光后烘烤来改善负性化学放大抗蚀剂的掩模制造的全局临界尺寸均匀性
Global critical dimension uniformity; 65-nm node; Chemically amplified resist; Postexposure delay; Postexposure bake; Multizone hotplate;
机译:通过区域控制的曝光后烘烤来改善负性化学放大抗蚀剂的掩模制造的全局临界尺寸均匀性
机译:通过使用具有非化学放大抗蚀剂和曝光后烘烤的可变形状电子束光刻技术来制造高分辨率掩模
机译:基于高分辨率技术的光掩模制造的特性,该技术具有非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤
机译:通过区域控制的曝光后烘烤对负性化学放大抗蚀剂进行自动CD误差补偿
机译:微光刻集群中温度和临界尺寸均匀性的表征和改进:一项分析和实验研究。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:基于模拟的257 nm激光掩模制造中非化学放大抗蚀剂的配方