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殷华湘; 王云翔; 刘明; 徐秋霞;
中国电子学会;
电子束曝光; 负性抗蚀剂; 图形制作;
机译:用于电子束曝光和掩模制造应用的化学放大负型抗蚀剂的工艺优化
机译:基于分子量依赖性热回流的电子束曝光多层抗蚀剂结构的选择性轮廓转换
机译:通过无抗蚀剂直接电子束曝光创建用于嵌段共聚物定向自组装的引导图案
机译:实验表征电子束曝光抗蚀剂中抗蚀剂轮廓的有效方法,
机译:(A)合成具有精确长度和组成的共轭低聚物; (B)用于负性抗蚀剂的烷基磺酰基三氯硅烷; (C)将单壁碳纳米管与二胺连接。
机译:聚苯乙烯负性抗蚀剂用于高分辨率电子束光刻
机译:扫描X射线显微镜研究氢硅倍半氧烷抗蚀剂的电子束曝光机制
机译:在λ= 13nm处表征saL 605负性抗蚀剂
机译:负性抗蚀剂形成方法及使用其后的负性化学放大性抗蚀剂组合物和抗蚀剂组合物
机译:负性抗蚀剂的形成方法,使用其的显影剂和负性化学放大性抗蚀剂组合物及抗蚀剂
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