机译:ZEP-520作为高分辨率正负电子束光刻技术的开发工艺研究
机译:基于镍的负色调金属氧化物簇的研制抗亚10 nm电子束和氦离子束光刻的抗蚀剂
机译:聚苯乙烯作为基于电子束光刻的化学镀金的两性抗蚀剂
机译:使用基于SEM的电子束光刻(EBL)技术形成单电子晶体管的纳米线:正电势与负电势电子束电阻
机译:聚合物抗蚀剂的电子束感应电导率效应和电子束光刻中的电荷感应电子束偏转模拟。
机译:使用原位自显影抗蚀剂进行带反馈的电子束光刻
机译:聚苯乙烯负性抗蚀剂,用于高分辨率电子束光刻
机译:具有负性有机和无机抗蚀剂的高分辨率电子束光刻