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1.
Tert-Butoxycarbonylated novolac resins as chemically amplified imaging materials
机译:
叔丁氧羰基酚醛清漆树脂作为化学放大成像材料
作者:
Antoni S. Gozdz
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA
;
John A. Shelburne
;
III
;
Bell Communications Research
;
Red Bank
;
NJ
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
2.
Study of photosensitizer for i-line lithography
机译:
用于i线光刻的光敏剂的研究
作者:
Tomoyuki Kitaori
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Seiki Fukunaga
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Hiroo Koyanagi
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Shinichi Umeda
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Jap
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
3.
Physical description of lithographic processes: correlation between bake conditions and photoresist contrast
机译:
光刻工艺的物理描述:烘烤条件与光刻胶对比度之间的关系
作者:
Patrick J. Paniez
;
CNET-CNS/France Telecom
;
Meylan
;
Cedex
;
France
;
Gilles Festes
;
CNET-CNS/France Telecom
;
Nantes Cedex 0
;
France
;
Jean-Paul E. Chollet
;
CNET-CNS/France Telecom
;
Meylan Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
4.
Quarter-micron deep-UV lithography with silylation process
机译:
具有硅烷化工艺的四分之一微米深紫外光刻
作者:
Masayuki Endo
;
Matsushita Electric Industrial Co.
;
Ltd.
;
Moriguchi
;
Osaka
;
Japan
;
Takahiro Matsuo
;
Matsushita Electric Industrial Co.
;
Ltd.
;
Moriguchi
;
Osaka
;
Japan
;
Kazuhiko Hashimoto
;
Matsushita Electric Industrial Co.
;
Ltd.
;
Moriguchi
;
Osaka
;
Japan
;
Ma
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
5.
Novel chemical amplification positive-resist material for EB lithography
机译:
用于EB光刻的新型化学放大正阻材料
作者:
Naoko Kihara
;
Toshiba Research
;
Development Ctr.
;
Sawai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Tohru Ushirogouchi
;
Toshiba Research
;
Development Ctr.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Tsukasa Tada
;
Toshiba Research
;
Development Ctr.
;
Saiwai-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Takuya Naito
;
Toshi
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
6.
Novel resist patterning strategies for the definition of high resolution via holes in polyimide interlayer dielectric
机译:
用于定义聚酰亚胺层间电介质中高分辨率通孔的新颖抗蚀剂构图策略
作者:
Brian Martin
;
GEC-Plessey Semiconductors Ltd.
;
Roborough
;
Plymouth
;
Devon
;
United Kingdom
;
Neil M. Harper
;
GEC-Plessey Semiconductors Ltd.
;
Horrabridge
;
Yelverton
;
Devon
;
United Kingdom.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
7.
Acid generation and acid diffusion in photoresist films
机译:
光刻胶膜中的酸生成和酸扩散
作者:
Dennis R. McKean
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Paul H. Kasai
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Ulrich P. Schaedeli
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
Marly
;
Switzerland
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
8.
Nature and degree of substitution patterns in novolaks by carbon-13 NMR spectroscopy
机译:
碳13 NMR光谱分析线型酚醛清漆中取代基的性质和程度
作者:
Mohammad A. Khadim
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
Mohammad D. Rahman
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
Dana L. Durham
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
9.
Lithographic evaluation and characterization of a negative deep-UV resist system for the next generation of DRAMs
机译:
用于下一代DRAM的负性深紫外线抗蚀剂系统的光刻评估和表征
作者:
Doowon Suh
;
Texas Instruments Inc.
;
Madison
;
WI
;
USA
;
Shane R. Palmer
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Subhankar Chatterjee
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Carlstadt
;
NJ
;
USA
;
Hans-Joachim Merrem
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Somerville
;
NJ
;
USA
;
Robert C. H
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
10.
Liquid phase silylation for the DESIRE process
机译:
DESIRE工艺的液相甲硅烷基化
作者:
Ki-Ho Baik
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Kurt Ronse
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Luc Van den hove
;
Interuniv. Microelectronics Ctr.
;
Leuven
;
Belgium
;
Bruno Roland
;
UCB-JSR Electronics
;
Haasrode
;
Belgium.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
11.
Improving resist performance by PROMOTE processing
机译:
通过PROMOTE处理提高抗蚀剂性能
作者:
Han J. Dijkstra
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
12.
Ester degradation in the DESIRE process
机译:
DESIRE工艺中的酯降解
作者:
J.P. ONeil
;
Univ. of Limerick
;
Raheen
;
Limerick
;
Ireland
;
Khalil I. Arshak
;
Univ. of Limerick
;
Limerick
;
Ireland
;
Robert J. Visser
;
Philips Research Labs.
;
Eindhoven
;
Netherlands.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
13.
Effective parameters of DESIRE process for controlling resist performance at subhalf to quarter-micron rule
机译:
DESIRE工艺的有效参数,可控制亚微米至四分之一微米规则的抗蚀剂性能
作者:
Kazunori Kato
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Asao-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kazuo Taira
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Asao-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Toshihiko Takahashi
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Asao-ku
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kenji Yanagihara
;
Japan Sy
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
14.
Dry development of resist patterns using RIE based on different electrical conductivity
机译:
基于不同电导率的RIE干法显影抗蚀剂图形
作者:
Joachim Bargon
;
Univ. of Bonn
;
Bonn
;
Federal Republic of Germany
;
Reinhard R. Baumann
;
Technische Hochschule Leipzig
;
Bonn
;
Federal Republic of Germany
;
Peter Boeker
;
Univ. of Bonn
;
Bonn-
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
15.
Dry development of silylated resist: influence of substrate temperature
机译:
甲硅烷基化抗蚀剂的干显影:基材温度的影响
作者:
Olivier P. Joubert
;
LETI/CEA
;
Meylan Cedex
;
France
;
R.Claude
;
LETI/CEA
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Michel J. Pons
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Andre P. Weill
;
CNET-CNS
;
Meylan Cedex
;
France
;
Patrick J. Paniez
;
CNET-CNS
;
Meylan
;
Cedex
;
France.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
16.
Comparative study of deep-UV resist processes for 0.35-um technology
机译:
0.35um技术的深紫外线抗蚀剂工艺的比较研究
作者:
Francoise Vinet
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Thierry Mourier
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Olivier P. Joubert
;
CEA/LETI
;
Meylan Cedex
;
France
;
Michel Heitzmann
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex
;
France
;
Charles Le Cornec
;
CEA/LETI
;
Grenoble Cedex
;
Fran
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
17.
Evolution of MIMMI: a novel surface imaging resist based on metallic surface imaging of organic photoresists
机译:
MIMMI的演变:一种基于有机光刻胶的金属表面成像的新型表面成像抗蚀剂
作者:
Kenneth J. Radigan
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Silvia Liddicoat
;
National Semiconductor Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
18.
Enhancement of deep-UV patterning integrity and process control using antireflective coating
机译:
使用抗反射涂层增强深紫外线图案的完整性和工艺控制
作者:
Bruce W. Dudley
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Park
;
NC
;
USA
;
Susan K. Jones
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Triangle Park
;
NC
;
USA
;
Charles R. Peters
;
Microelectronics Ctr. of North Carolina
;
Research Trian
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
19.
Electron cyclotron resonance etching of silylated resist
机译:
硅烷化抗蚀剂的电子回旋共振蚀刻
作者:
Bob Lynch
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Siddhartha Das
;
Intel Corp.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
Michael A. Lieberman
;
Univ. of California/Berkeley
;
Berkeley
;
CA
;
USA
;
Dennis W. Hess
;
Lehigh Univ.
;
Bethlehem
;
PA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
20.
Experimental investigation of a novel dissolution model
机译:
新型溶出模型的实验研究
作者:
Medhat A. Toukhy
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Steven G. Hansen
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Rodney J. Hurditch
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Chris A. M
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
21.
Efficient approach for experimental characterization of resist profile inelectron-beam-exposed resists,
机译:
实验表征电子束曝光抗蚀剂中抗蚀剂轮廓的有效方法,
作者:
Nikolina A. Madjarova
;
Institute of Microelectronics
;
Sofia
;
Bulgaria.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
22.
Design of PACs for high-performance photoresists (I): role of di-esterified PACs having hindered -OH groups
机译:
高性能光致抗蚀剂的PAC设计(I):受阻-OH基的二酯化PAC的作用
作者:
Ryotaro Hanawa
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku
;
Osaka
;
Osaka
;
Japan
;
Yasunori Uetani
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku
;
Osaka
;
Osaka
;
Japan
;
Makoto Hanabata
;
Sumitomo Chemical Co.
;
Ltd.
;
Konohana-ku
;
Osaka
;
Osaka
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
23.
Critical process parameters of an acetal-based deep-UV photoresist
机译:
乙缩醛型深紫外光致抗蚀剂的关键工艺参数
作者:
Horst Roeschert
;
Hoechst AG
;
Frankfurt/Main 80
;
Federal Republic of Germany
;
Klaus J. Przybilla
;
Hoechst AG
;
Kawagoe City
;
Saitama-ken
;
Japan
;
Walter Spiess
;
Hoechst AG
;
Wiesbaden
;
Federal Republic of Germany
;
H.Wengenroth
;
Hoechst AG
;
Wiesbaden
;
Federal
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
24.
Toward the development of a stable chemically amplified DUV positive photoresist
机译:
致力于开发稳定的化学放大DUV正性光刻胶
作者:
James W. Thackeray
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Diane L. Canistro
;
Shipley Co. Inc.
;
Leominster
;
MA
;
USA
;
M.Denison
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA
;
Joseph J. Ferrari
;
Shipley Co. Inc.
;
Hudson
;
MA
;
USA
;
R.Hemond
;
Shipley Co. Inc.
;
Marl
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
25.
Structural effects of NQD PAC and novolak resin on resist performance
机译:
NQD PAC和酚醛清漆树脂对抗蚀剂性能的结构影响
作者:
Hiroaki Nemoto
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Katsumi Inomata
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Toshiyuki Ota
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Yoshiji Yumoto
;
Japan Synthetic Rubber Co.
;
Ltd.
;
Mie
;
Japan
;
Takao M
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
26.
Surface-imaged silicon polymers for 193-nm excimer laser lithography
机译:
用于193 nm准分子激光光刻的表面成像的硅聚合物
作者:
Roderick R. Kunz
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Mark W. Horn
;
Lincoln Lab./MIT
;
North Chelmsford
;
MA
;
USA
;
R.B. Goodman
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Patricia A. Bianconi
;
The Pennsylvania State Univ.
;
University Park
;
PA
;
USA
;
David A. S
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
27.
Studies of dissolution inhibition mechanism of DNQ novolak resists: part III--secondary inhibition with quaternary ammonium salts in development process
机译:
DNQ线型酚醛清漆抗蚀剂溶解抑制机理的研究:第三部分-显影过程中季铵盐的二次抑制
作者:
Kenji Honda
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Bernard T. Beauchemin
;
Jr.
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Rodney J. Hurditch
;
OCG Microelectronic Materials
;
Inc.
;
East Providence
;
RI
;
USA
;
Andre
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
28.
Silylation processes for 193-nm lithography using acid-catalyzed resists
机译:
使用酸催化抗蚀剂的193 nm光刻的硅烷化工艺
作者:
Mark A. Hartney
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
James W. Thackeray
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
29.
Selectively DNQ-esterified PAC for high-performance positive photoresists
机译:
选择性DNQ酯化的PAC用于高性能正性光刻胶
作者:
Kazuya Uenishi
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Shinji Sakaguchi
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-gun
;
Shizuoka-ken
;
Japan
;
Yasumasa Kawabe
;
Fuji Photo Film Co.
;
Ltd.
;
Haibara-Gun
;
Shizuoka
;
Japan
;
Tadayoshi Kokubo
;
Fuji Photo
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
30.
Novel DNQ PACs for high-resolution i-line lithography
机译:
用于高分辨率i线光刻的新型DNQ PAC
作者:
Author(s): William R. Brunsvold IBM General Technology Div. Hopewell Junction NY USA
;
Nicholas K. Eib IBM General Technology Div. Hopewell Junction NY USA
;
Christopher F. Lyons IBM General Technology Div. Hopewell Junction NY USA
;
Steve S. Miu
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
31.
High-speed aqueous-developing negative resist based on triflic-acid-catalyzed epoxy polymerization
机译:
基于三氟乙酸催化环氧聚合的高速水显影负性抗蚀剂
作者:
Robert D. Allen
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Willard E. Conley
;
IBM East Fishkill Facility
;
Hopewell Jct.
;
NY
;
USA
;
Jeffrey D. Gelorme
;
IBM Thomas J. Watson Research Ctr.
;
Hopewell Jct.
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
32.
Hexafluoroacetone in resist chemistry: a versatile new concept for materials for deep-UV lithography
机译:
抗蚀剂化学中的六氟丙酮:适用于深紫外光刻技术的多功能新概念
作者:
Klaus J. Przybilla
;
Hoechst AG
;
Kawagoe City
;
Saitama-ken
;
Japan
;
Horst Roeschert
;
Hoechst AG
;
Frankfurt/Main 80
;
Federal Republic of Germany
;
George Pawlowski
;
Hoechst AG
;
Frankfurt/am Main 80
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
33.
Equipment materials and process interactions in a surface-imaging process: part II
机译:
表面成像过程中的设备材料和过程相互作用:第二部分
作者:
Cesar M. Garza
;
Sr.
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Eric J. Solowiej
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA
;
Mark A. Boehm
;
Texas Instruments Inc.
;
Dallas
;
TX
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
34.
Fabrication of ultrahigh-quality vertical structures in GaAs
机译:
GaAs中超高质量垂直结构的制备
作者:
Mats Hagberg
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goteborg
;
Sweden
;
Bjorn Jonsson
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goteborg
;
Sweden
;
Anders G. Larsson
;
Chalmers Univ. of Technology
;
Goeteborg
;
Sweden.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
35.
Effects of polymer end groups on chemical amplification
机译:
聚合物端基对化学扩增的影响
作者:
Hiroshi Ito
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
William P. England
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Stephen B. Lundmark
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
36.
Effect of humidity residual solvent and adventitious clean-room contaminants on the performance of AZ-PN
机译:
水分残留溶剂和不定净室污染物对AZ-PN性能的影响
作者:
Munirathna Padmanaban
;
Hoechst Japan Ltd.
;
Frankfurt/am Main 80
;
Federal Republic of Germany
;
Hajime Endo
;
Hoechst Japan Ltd.
;
Kawagoe
;
Saitama
;
Japan
;
Yoshio Inoguchi
;
Hoechst Japan Ltd.
;
Kawagoe City
;
Saitama
;
Japan
;
Yoshiaki Kinoshita
;
Hoechst Japan Lt
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
37.
DN 21 DN 41: negative-tone photoresists for deep-UV lithography
机译:
DN 21 DN 41:用于深紫外光刻的负性光刻胶
作者:
Horst Roeschert
;
Hoechst AG
;
Frankfurt/Main 80
;
Federal Republic of Germany
;
Ralph Dammel
;
Hoechst Celanese Corp.
;
Coventry
;
RI
;
USA
;
Charlotte Eckes
;
Hoechst AG
;
Frankfurt/Main 80
;
Federal Republic of Germany
;
K.Kamiya
;
Hoechst Japan Ltd.
;
Tokyo
;
Japan
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
38.
Diazonaphthoquinone-sensitized deep-UV resist materials
机译:
重氮萘醌敏化的深紫外线抗蚀剂材料
作者:
Seiki Fukunaga
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Tomoyuki Kitaori
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Hiroo Koyanagi
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Shinichi Umeda
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Jap
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
39.
Correlation of Si wafer FTIR spectra with wafer temperatures and resist durability variations in plasma etching processes
机译:
硅晶圆FTIR光谱与晶圆温度的相关性以及等离子蚀刻工艺中的耐久度变化
作者:
Gregory Luckman
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Wilmington
;
MA
;
USA
;
Carl P. Babcock
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Madison
;
WI
;
USA
;
Helen L. Maynard
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Madison
;
WI
;
USA
;
Chris J. Gamsky
;
Univ. of Wisconsin/Madison
;
Madison
;
WI
;
USA
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
40.
Deep-UV resists with improved delay capabilities
机译:
深紫外抗蚀剂具有改进的延迟能力
作者:
Dirk J. Funhoff
;
BASF AG
;
Ludwigshafen
;
Federal Republic of Germany
;
H.Binder
;
BASF AG
;
Ludwigshafen
;
Federal Republic of Germany
;
Reinhold Schwalm
;
BASF AG
;
Ludwigshafen
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
41.
Comparison of etching tools for resist pattern transfer
机译:
比较用于抗蚀剂图案转移的蚀刻工具
作者:
Mark W. Horn
;
Lincoln Lab./MIT
;
North Chelmsford
;
MA
;
USA
;
Mark A. Hartney
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA
;
Roderick R. Kunz
;
Lincoln Lab./MIT
;
Lexington
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
42.
Characteristics of a chemically amplified silicone-based negative resist in KrF excimer laser lithography
机译:
KrF准分子激光光刻中化学放大的硅基负性抗蚀剂的特性
作者:
Yoshio Kawai
;
NTT/LSI Labs.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa Pref.
;
Japan
;
Akinobu Tanaka
;
NTT/LSI Labs.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa
;
Japan
;
Hiroshi Ban
;
NTT/LSI Labs.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa Pref.
;
Japan
;
Jiro Nakamura
;
NTT/LSI Labs.
;
Atsugi-shi
;
Kanagawa Pref.
;
Japan
;
Tad
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
43.
Charge transfer a
机译:
电荷转移
作者:
Reinhard R. Baumann
;
Univ. of Bonn
;
Technische Hochschule Leipzig
;
Bonn
;
Federal Republic of Germany
;
Joachim Bargon
;
Univ. of Bonn
;
Bonn
;
Federal Republic of Germany.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
44.
Analysis of photosensitive salt distribution in polymer films by 19F multiple-quantum NMR
机译:
用19F多量子NMR分析聚合物膜中光敏盐的分布
作者:
Bruce E. Scruggs
;
Massachusetts Institute of Technology
;
Arlington
;
MA
;
USA
;
Karen K. Gleason
;
Massachusetts Institute of Technology
;
Cambridge
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
45.
Alicyclic polymer for ArF and KrF excimer resist based on chemical amplification
机译:
基于化学扩增的ArF和KrF准分子抗蚀剂脂环族聚合物
作者:
Yuko Kaimoto
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Koji Nozaki
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Satoshi Takechi
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Naomichi Abe
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
46.
Efficient approach for experimental characterization of resist profile in electron-beam-exposed resists
机译:
在电子束曝光的抗蚀剂中进行抗蚀剂轮廓实验表征的有效方法
作者:
Author(s): Nikolina A. Madjarova Institute of Microelectronics Sofia Bulgaria.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
47.
Photoresist formulation optimization through the use of statistical design of experimentation
机译:
通过使用统计实验设计来优化光刻胶配方
作者:
Kenneth L. Bell
;
Morton International/Dynachem Electronic Materials Co rp.
;
Goleta
;
CA
;
USA
;
Nadine A. Acuna
;
Morton International/Dynachem Electronic Materials Co rp.
;
Goleta
;
CA
;
USA
;
Sunit S. Dixit
;
Morton International/Dynachem Electronic Materials Co
会议名称:
《》
|
1992年
48.
Postexposure bake characteristics of a chemically amplified deep-ultraviolet resist
机译:
化学放大的深紫外线抗蚀剂的曝光后烘烤特性
作者:
John Sturtevant
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Steven J. Holmes
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA
;
Paul Rabidoux
;
IBM Corp.
;
Essex Junction
;
VT
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
49.
Poly(p-trimethylgermylstyrene sulfone)s as a high-resolution electron-beam resist
机译:
聚对三甲基锗苯乙烯砜作为高分辨率电子束抗蚀剂
作者:
Seong-Ju Kim
;
Korea Kumho Petrochemical Co.
;
Ltd.
;
Yeocheon-city
;
Cheonramam-do
;
South Korea
;
Byung-Sun Park
;
Electronics
;
Telecommunications Research Institute
;
Daejeon
;
South Korea
;
Haiwon Lee
;
Korea Research Institute of Chemical Technology
;
Daedeog-Da
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
50.
Quarter-micron KrF excimer laser lithography with a chemically amplifying negative resist
机译:
具有化学放大负性抗蚀剂的四分之一微米KrF准分子激光光刻
作者:
Akira Oikawa
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Shuichi Miyata
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kimihisa Maeda
;
Fujitsu Ltd.
;
Kuwana-gun
;
Mie
;
Japan
;
Hiroyuki Tanaka
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan
;
Kenji Nakagawa
;
Fujitsu Ltd.
;
Kawasaki
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
51.
Quantitation of airborne chemical contamination of chemically amplified resists using radiochemical analysis
机译:
使用放射化学分析定量化学放大抗蚀剂的空气传播化学污染物
作者:
William D. Hinsberg
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Scott A. MacDonald
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Nicholas J. Clecak
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Clint D. Snyder
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
52.
Percolation view of novolak dissolution and dissolution inhibition
机译:
酚醛清漆溶解和溶解抑制的渗滤视图
作者:
Tung-Feng Yeh
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Hsiao-Yih Shih
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA
;
Arnost Reiser
;
Polytechnic Univ.
;
Brooklyn
;
NY
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
53.
Pattern transfer capabilities of CAMP deep-UV resist
机译:
CAMP深紫外线抗蚀剂的图案转移功能
作者:
Ivan S. Daraktchiev
;
OCG Microelectronic Materials NV
;
Sint-Niklaas
;
Belgium
;
Dirk Goossens
;
OCG Microelectronic Materials NV
;
Sint-Niklaas
;
Belgium
;
P.Matthijs
;
OCG Microelectronic Materials NV
;
Zwundrecht
;
Belgium
;
Mark Thirsk
;
OCG Microelectronic Mater
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
54.
Acid diffusion standing waves and information theory: a molecular-scale model of chemically amplified resist
机译:
酸扩散驻波和信息论:化学放大抗蚀剂的分子尺度模型
作者:
Peter Trefonas
;
III
;
Shipley Co. Inc.
;
Newton
;
MA
;
USA
;
Mary T. Allen
;
Shipley Co. Inc.
;
Marlborough
;
MA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
55.
New positive-acting chemically amplified resist system for electron-beam lithography
机译:
用于电子束光刻的新型正作用化学放大抗蚀剂系统
作者:
Hiroo Koyanagi
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Shinichi Umeda
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Seiki Fukunaga
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Japan
;
Tomoyuki Kitaori
;
Nippon Kayaku Co.
;
Ltd.
;
Kita-ku
;
Tokyo
;
Jap
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
56.
Modeling of postexposure bake and surface inhibition effects in positive photoresist using absolute thickness data
机译:
使用绝对厚度数据模拟正性光刻胶中的曝光后烘烤和表面抑制效果
作者:
Stewart A. Robertson
;
Univ. of Edinburgh
;
Langside
;
Glasgoe
;
United Kingdom
;
J.T. Stevenson
;
Univ. of Edinburgh
;
Edinburgh
;
United Kingdom
;
Robert J. Holwill
;
Univ. of Edinburgh
;
Edinburgh
;
United Kingdom
;
Steven G. Hansen
;
OCG Microelectronic Materials
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
57.
Limitation of removal particles in positive photoresist
机译:
正性光刻胶中去除颗粒的限制
作者:
Shingo Asaumi
;
Tokyo Ohka Kogyo Co.
;
Ltd.
;
Koza-gun
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Mitsuhiro Furuta
;
Tokyo Ohka Kogyo Co.
;
Ltd.
;
Koza-gun
;
Kanagawa-ken
;
Japan
;
Akira Yokota
;
Tokyo Ohka Kogyo Co.
;
Ltd.
;
Koza-gun
;
Kanagawa-ken
;
Japan.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
58.
Lithographic performance and dissolution behavior of novolac resins for various developer surfactant systems
机译:
酚醛清漆树脂在各种显影剂表面活性剂体系中的平版印刷性能和溶解行为
作者:
Gary E. Flores
;
OCG Microelectronics Materials
;
Inc.
;
Santa Clara
;
CA
;
USA
;
James E. Loftus
;
Union Carbide Corp.
;
South Charleston
;
WV
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
59.
Influence of sensitizer spatial distribution on the dissolution mechanism in diazonaphthoquinone resists
机译:
敏化剂空间分布对重氮萘醌抗蚀剂溶解机理的影响
作者:
Veena Rao
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
William D. Hinsberg
;
IBM Almaden Research Ctr.
;
San Jose
;
CA
;
USA
;
Curtis W. Frank
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA
;
R.F. Pease
;
Stanford Univ.
;
Stanford
;
CA
;
USA.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
60.
In-situ IR study of the kinetics of silylation
机译:
甲硅烷基化动力学的原位红外研究
作者:
Dan V. Nicolau
;
ICCE
;
Polytechnic Institute Bucharest
;
Torrensville
;
South Australia
;
Australia
;
Gheorghita Jinescu
;
ICCE
;
Polytechnic Institute Bucharest
;
Bucharest
;
Romania
;
Florin Fulga
;
ICCE
;
Polytechnic Institute Bucharest
;
Bucharest
;
Romania.
会议名称:
《Advances in Resist Technology and Processing IX》
|
1992年
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