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卢伟; 黄庆安; 李伟华; 周再发;
东南大学MEMS教育部重点实验室;
光刻模拟; 负性化学放大胶; 后烘模型;
机译:用于电子束和EUV光刻的非化学放大负型光刻胶的性能评估
机译:正光刻和负光刻胶中各种3维纳米/微结构加工的高级光刻模拟
机译:极紫外光刻化学放大光刻胶工艺制备亚10纳米半节距的可行性研究:Ⅱ。随机效应
机译:I线负性抗蚀剂(INR):负性I线化学放大的光刻胶
机译:通过施加电场在化学放大的光刻胶中置换各向异性酸催化剂。
机译:通过非化学放大光刻胶的EUV定向极性切换对复杂纳米特征的高度有序阵列进行构图
机译:用于极端紫外光刻的聚碳酸酯基非化学放大光刻胶
机译:中国大气污染源分析:结合多元和化学质量平衡模型扩展受体模拟的有用性
机译:负色调显影光刻工艺的全芯片快速模拟方法,负色调显影光刻胶模型、OPC模型和电子器件
机译:化学放大负型光刻胶及光刻胶组合物
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