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【24h】

The effect of device geometry and crystal orientation on the stress-dependent offset voltage of 3C-SiC(100) four terminal devices (vol 3, pg 8804, 2015)

机译：器件几何形状和晶体取向对3C-SiC（100）四个终端器件应力相关偏移电压的影响（第3卷，第8804页，2015年）

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来源
《Journal of Materials Chemistry, C. materials for optical and electronic devices》 |2015年第37期|共1页
作者
Qamar Afzaal; Phan Hoang-Phuong; Han Jisheng; Tanner Philip; Dinh Toan; Wang Li; Dimitrijev Sima; Dao Dzung Viet;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类物理化学（理论化学）、化学物理学;
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