首页> 外文OA文献 >Correction: The effect of device geometry and crystal orientation on the stress-dependent offset voltage of 3C–SiC(100) four terminal devices

【2h】

Correction: The effect of device geometry and crystal orientation on the stress-dependent offset voltage of 3C–SiC(100) four terminal devices

机译：校正：器件几何形状和晶体取向对3C-SiC（100）四个终端设备应力依赖性偏移电压的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Afzaal Qamar; Hoang-Phuong Phan; Jisheng Han; Philip Tanner; Toan Dinh; Li Wang; Sima Dimitrijev; Dzung Viet Dao;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. The effect of device geometry and crystal orientation on the stress-dependent offset voltage of 3C-SiC(100) four terminal devices [J] . Qamar Afzaal, Hoang-Phuong Phan, Han Jisheng, Journal of Materials Chemistry, C. materials for optical and electronic devices . 2015,第34期

机译：器件几何形状和晶体取向对3C-SiC（100）四端子器件应力相关偏移电压的影响
2. The effect of device geometry and crystal orientation on the stress-dependent offset voltage of 3C-SiC(100) four terminal devices (vol 3, pg 8804, 2015) [J] . Qamar Afzaal, Phan Hoang-Phuong, Han Jisheng, Journal of Materials Chemistry, C. materials for optical and electronic devices . 2015,第37期

机译：器件几何形状和晶体取向对3C-SiC（100）四个终端器件应力相关偏移电压的影响（第3卷，第8804页，2015年）
3. Orientation dependence of the pseudo-Hall effect in p-type 3C-SiC four-terminal devices under mechanical stress [J] . Hoang-Phuong Phan, Qamar Afzaal, Dzung Viet Dao, RSC Advances . 2015,第69期

机译：p型3C-SiC四端子器件在机械应力下伪霍尔效应的取向依赖性
4. Fabrication and testing of single crystalline 3C-SiC devices using a novel SiC-on-insulator substrate [C] . Hung-I Kuo, Zorman, C.A., . 2003

机译：使用新型绝缘体上SiC衬底制造和测试单晶3C-SiC器件
5. Enabling High Efficiency Medium Voltage Converter for High Speed Drives and Other Grid Applications using Low Voltage (LV) and High Voltage (HV) Silicon Carbide (SiC) Devices [D] . Vechalapu, Kasunaidu. 2018

机译：使用低电压（LV）和高压（HV）碳化物（SIC）器件，实现高效率中电压转换器和用于高速驱动器和其他网格应用，以及高压（HV）碳化硅（SIC）器件
6. Forward Voltage Drop Induced by an Abnormal Threading Dislocation Aggregation in 4H-SiC GTO Devices [O] . Yingxin Cui, Peng Dong, Zhe Chen, 2019

机译：4H-SiC GTO器件中异常的位错聚集引起的正向压降
7. Orientation dependence of the pseudo-Hall effect in p-type 3C–SiC four-terminal devices under mechanical stress [O] . Phan Hoang Phuong, Qamar Afzaal, Dao Dzung, 2015

机译：p型3C–SiC四端子器件在机械应力下伪霍尔效应的取向依赖性
8. Development of High-Temperature, High-Power, High-Efficiency, High- Voltage Converters Using Silicon Carbide (SiC) Delivery Order 0003: SiC High Voltage Converters, N-Type Ohmic Contract Development for SiC Power Devices [R] . Cheng, L. , Mazzola, M. S. 2006

机译：使用碳化硅（siC）交付订单开发高温，高功率，高效率，高压转换器订单0003：siC高压转换器，用于siC功率器件的N型欧姆合同开发

Correction: The effect of device geometry and crystal orientation on the stress-dependent offset voltage of 3C–SiC(100) four terminal devices

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅