机译:射频辉光放电制备本征氢化微晶氧化硅薄膜
机译:射频辉光放电制备本征氢化微晶氧化硅薄膜
机译:高频辉光放电制备结晶氢化硅膜的微观结构和光学性质
机译:用氢稀释法通过极高频辉光放电制备的微晶硅的微观结构和表面粗糙度
机译:鞍场辉光放电沉积非晶和微晶氢化硅膜的电学和光学性质
机译:氢化非晶硅,微晶硅和硅基合金薄膜的沉积和表征。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:通过辉光放电法制备氢化非晶硅膜的底物依赖性特性。
机译:通过乙硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅薄膜。最终的分包合同报告,1987年12月16日 - 1989年2月28日。