机译:低能量等离子体增强化学气相沉积法生长的热电器件的Ge / SiGe超晶格
Silicon germanium; multiple quantum well; thermoelectrics;
机译:低能量等离子体增强化学气相沉积法生长的热电器件的Ge / SiGe超晶格
机译:通过低能等离子体增强化学气相沉积法生长Si / SiGe
机译:通过低能等离子体增强化学气相沉积法制备的高迁移率SiGe异质结构
机译:通过分布电子回旋谐振等离子体增强化学气相沉积在SiGe层上生长在SiGe层上生长的氮化硅膜的电性能
机译:通过等离子体增强的金属有机化学气相沉积法制得的锶钛氧化物和钡(1-x)锶钛氧化物外延薄膜。
机译:通过超高真空化学气相沉积法生长的Si / SiGe量子阱中的阱间耦合效应
机译:离子轰击能量通量对自由基注入等离子体增强化学气相沉积生长的化学成分对化学成分的影响和氢化非晶碳膜的结构
机译:通过远程等离子体增强化学气相沉积(远程pECVD)生长的非晶硅合金中缺陷产生的基础研究。年度分包合同报告,1990年9月1日 - 1991年8月31日