机译:In0.52Al0.48As过渡层设计对变质高电子迁移率晶体管传输特性的影响
机译:In0.52Al0.48As过渡层设计对变质高电子迁移率晶体管传输特性的影响
机译:金刚石层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管电学特性的影响
机译:变质缓冲层设计对InGaAs / GaAs变质HEMT特性保留的影响
机译:金属氧化物半导体变质高电子迁移率晶体管的数值模拟
机译:用于模拟表面粗糙度对边界层过渡的影响的输运方程方法。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:平面化沟槽隔离IN0.52AL0.48AS / IN0.8GA0.2AS通过液相化学增强氧化变质高电子迁移晶体管
机译:具有优化传输参数的应变In0.65Ga0.35as / In0.52al0.48as HEmT(高电子迁移率晶体管)的特性