机译:平面化沟槽隔离IN0.52AL0.48AS / IN0.8GA0.2AS通过液相化学增强氧化变质高电子迁移晶体管
机译:In0.52Al0.48As过渡层设计对变质高电子迁移率晶体管传输特性的影响
机译:具有不带栅极凹槽的液相氧化InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管的改进的微波和噪声性能
机译:具有液相氧化的InGaAs栅极的InAlAs / InGaAs变质高电子迁移率晶体管中的击穿电压和冲击电离得到改善
机译:通过液相化学增强氧化的GaAs装置隔离技术
机译:二氧化硅,钨和浅沟隔离化学机械平面化工艺与垫微纹理,调节圆盘型和年龄,摩擦学,流体动力学和动力学相关的新型研究
机译:倒置型Inalas / INAS高电子 - 移动晶体管具有液相氧化INALAS作为栅极绝缘体
机译:高铟内含量的选择性氧化/ INGAAS变质高电子 - 移动晶体管