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European Workshop on Materials for Advanced Metallization
European Workshop on Materials for Advanced Metallization
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1.
Copper CVD precursors and processes for advanced metallization
机译:
铜CVD前体和先进金属化的方法
作者:
Doppelt P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
2.
Dielectric barriers for Cu metallization systems
机译:
Cu金属化系统的介电屏障
作者:
Vogt M.
;
Kachel M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
3.
Solid solution disilicide thin films: formation, structure, properties and application
机译:
固溶体二硅化物薄膜:形成,结构,性能和应用
作者:
Dvorina L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
4.
Lattice dynamics of transition metal disilicides
机译:
过渡金属二硅霉的晶格动力学
作者:
Chaix-Pluchery O.
;
Bossy J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
5.
Stress in copper films for interconnects
机译:
用于互连的铜膜中的应力
作者:
Riedel S.
;
Rober J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
6.
Size dependent phenomena during the formation of Gd and Fe silicide thin films
机译:
Gd和Fe硅化物薄膜形成过程中的大小依赖现象
作者:
Molnar G.L.
;
Peto G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
7.
Al reflow studies for deep-submicron structures: properties and microstructure
机译:
深度亚微米结构的AL回流研究:性能和微观结构
作者:
Webster M.N.
;
Dirks A.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
8.
W CMP process integration
机译:
W CMP进程集成
作者:
Sicurani E.
;
Fayolle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
9.
Formation of ultra-thin PtSi layers with a 2-step silicidation process
机译:
具有2步硅化过程的超薄PTSI层的形成
作者:
Donaton R.A.
;
Jin S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
10.
Total process of 0.18 and 0.25 /spl mu/m ohmic contacts
机译:
018和0.25 / SPL MU / M欧姆触点的总处理
作者:
Hara T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
11.
Reactive ion etching of metal stack consisting of an aluminium alloy, WGe/sub x/, barrier and Ti adhesion layer
机译:
由铝合金,WGE / Sub X /,屏障和Ti粘附层组成的金属叠层的反应离子蚀刻
作者:
Sabouret E.
;
Verhoeven P.F.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
12.
Copper metallization for advanced ULSI devices using spray electroless plating technology
机译:
采用喷涂无电镀技术的高级ULSI器件铜金属化
作者:
Nguyen V.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
13.
Investigation of chemical interactions on the interface W/Si(100) during the deposition of W thin films by various techniques
机译:
通过各种技术研究W / Si(100)界面界面的化学相互作用
作者:
Pluscheva S.V.
;
Shabelinikov L.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
14.
Ultra trace analysis and electrical characterization of Cu diffusion through thin quasi-amorphous Ta-N-O barriers
机译:
通过薄的准非晶态Ta-N-O屏障的Cu扩散的超迹线分析和电学特性
作者:
Stavrev M.
;
Fischer D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
15.
Rapid thermal low pressure chemical vapor deposition of TiN layers from the TiCl/sub 4/-NH/sub 3/-H/sub 2/ gaseous phase
机译:
从TiCl / Sub 4 / -NH / Sub 3 / -H / Sub 2 /气相中的锡层的快速热低压化学气相沉积锡层
作者:
Bouteville A.
;
Imhoff L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
16.
High pressure aluminium for sub-micron vias using a liquid transducer
机译:
使用液体换能器的亚微米通孔的高压铝
作者:
Jongste J.F.
;
Li X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
17.
Arsenic solubility in single crystalline cobalt disilicide
机译:
单晶钴二硅化物中的砷溶解度
作者:
Mangelinck D.
;
Cardenas J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
18.
EXAFS investigation of Co sites in CoSi/sub 2/ film crown by ion beam assisted deposition
机译:
离子束辅助沉积的COSI / SUP 2 /薄膜冠中CU的exafs调查
作者:
Terrasi A.
;
La Via F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
19.
Raman study of tungsten disilicide formation in thin films
机译:
薄膜钨二种机体形成的拉曼研究
作者:
Chaix-Pluchery O.
;
Lucazeau G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
20.
Zirconium diboride low resistance layers
机译:
锆二硼化锆低电阻层
作者:
Andreeva A.F.
;
Statsenko V.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
21.
OMCVD TiN diffusion barrier for copper contact and via/interconnects structures
机译:
OMCVD TIN扩散屏障用于铜接触和VIA /互连结构
作者:
Marcadal C.
;
Richard E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
22.
Advances in the formation of C54-TiSi/sub 2/ with an interposed refractory metal layer: some properties
机译:
C54-TISI / SUB 2 /带插入难熔金属层的进展进展:一些性能
作者:
Mouroux A.
;
Kaplan W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
23.
Low temperature dry etching of copper using a new chemical approach
机译:
使用新的化学方法低温干蚀刻铜
作者:
Kruck Th.
;
Schober M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
24.
A self-aligned silicide technology with the Mo/Ti bilayer system
机译:
具有Mo / Ti双层系统的自对准硅化物技术
作者:
Kaplan W.
;
Mouroux A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
25.
Modification of Al-based metallization for improved surface morphology
机译:
改进Al基金属化改善表面形态学
作者:
Zaborowski M.
;
Barcz A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
26.
Planar aluminium multilevel interconnection formed by electrochemical anodizing technique
机译:
通过电化学阳极化技术形成的平面铝多电平互连
作者:
Surganov V.
;
Mozalev A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
27.
Influence of process parameters on chemical-mechanical polishing of copper
机译:
工艺参数对铜化学机械抛光的影响
作者:
Stavreva Z.
;
Zeidler D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
28.
Influence of carrier gas on Cu nucleation, film properties and MOCVD reaction kinetics
机译:
载气对Cu成核,薄膜性能和MOCVD反应动力学的影响
作者:
Rober J.
;
Riedel S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
29.
Metal etcher characterization using flash memory cells as charge sensors
机译:
金属蚀刻器表征使用闪存单元作为充电传感器
作者:
Alba S.
;
Colognese A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
30.
TIN/W double layers as a barrier system for use in Cu metalization
机译:
锡/ W双层作为用于Cu金属化的屏障系统
作者:
Baumann J.
;
Markert M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
31.
Optimization and control of PVD TiN uniformity
机译:
PVD锡均匀性的优化和控制
作者:
Asinovsky L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
32.
Patterning of silicide layers by local oxidation
机译:
通过局部氧化图案硅化物层
作者:
Klinkhammer F.
;
Dolle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
33.
RF magnetron sputtered WTi and WTi-N thin films as diffusion barriers between Cu and Si
机译:
RF磁控管溅射WTI和WTI-N薄膜作为Cu和Si之间的扩散屏障
作者:
Ramarotafika H.
;
Lemperiere G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
34.
Properties of tungsten silicide thin films obtained by magnetron sputtering of composite cast targets
机译:
复合铸造靶磁控溅射获得的钨硅化物薄膜的性质
作者:
Glebovsky V.G.
;
Ermolov S.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
35.
Focused ion beam sample preparation, transmission electron microscopy and electron energy loss spectroscopy analysis of advanced CMOS silicon technology interconnections
机译:
聚焦离子束样品制备,透射电子显微镜和电子能损光谱分析先进的CMOS硅技术互连
作者:
Pantel R.
;
Auvert G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
36.
Application of HF solutions for the cleaning of TiSi/sub 2/ surface
机译:
HF溶液在TISI / SUB 2 /表面清洗中的应用
作者:
Baklanov M.R.
;
Vanhaelemeersch S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
37.
Conformal copper deposition in deep trenches
机译:
深沟中的保形铜沉积
作者:
Bollmann D.
;
Merkel R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
38.
3D simulation of sputter deposition of titanium layers in contact holes with high aspect ratios
机译:
高纵横比钛层溅射沉积溅射的3D模拟
作者:
Bar E.
;
Lorenz J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
39.
Thermal stress effects on capacitance and current characteristics of Cu/Si and Cu/TiN/Si Schottky-diodes
机译:
Cu / Si和Cu / TiN / Si Schottky-Diodes电容和电流特性的热应力效应
作者:
Ahrens C.
;
Ferretti R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
40.
Investigation of copper diffusion in SiOF, TEOS-oxide and TCA-oxide using bias thermal stress (BTS) tests
机译:
使用偏置热应力(BTS)试验研究Siof,Teos氧化物和TCA氧化物铜扩散的研究
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
41.
High crystalline quality titanium silicides on n/sup +/p and p/sup +/n silicon junctions by sputtering deposition of Ti/Si multilayers and annealing
机译:
通过Ti / Si多层和退火的溅射沉积N / SUP + / P和P / SUP + / N硅结的高晶体优质硅化物
作者:
Revva P.
;
Kasstanas A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
42.
CVD process for copper interconnection
机译:
CVD铜互连过程
作者:
Marcadal C.
;
Richard E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
43.
Kinetics of the C49-C54 phase transition in TiSi/sub 2/: new indications from sheet resistance, infrared spectroscopy and molecular dynamics simulations
机译:
TISI / SUB 2 /:薄层电阻,红外光谱和分子动力学模拟的新指示的C49-C54相变的动力学
作者:
Grimaldi M.G.
;
La Via F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
44.
Deposition of barrier layer and CVD copper under no exposed wafer conditions: adhesion performance and process integration
机译:
在没有暴露的晶片条件下沉积阻挡层和CVD铜:粘附性能和工艺集成
作者:
Braeckelmann G.
;
Manger D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
45.
WN/sub x//W as a low-resistance gate material and local interconnect
机译:
Wn / sub x // w作为低电阻栅极材料和本地互连
作者:
Galewski C.J.
;
Gadgil P.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
46.
What is the metal role on the Fermi-level position at the interface with IV-IV compounds?
机译:
与IV-IV化合物界面的FERMI水平位置是什么是金属作用?
作者:
Aubry-Fortuna V.
;
Perrossier J.-L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
47.
Reduction of molybdenum resistivity by a seed layer of Ti-W
机译:
Ti-W的种子层还原钼电阻率
作者:
Franssila S.
;
Kattelus H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
48.
Influence of processing parameters on selectivity in a CVD-process of copper using Cu/sup +1/(hfac)(TMVS)
机译:
使用Cu / Sup + 1 /(HFAC)(TMV)对铜CVD-过程中选择性的影响
作者:
Friese G.
;
Abdul-Hak A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
49.
Chemical beam epitaxy of CoGa on GaAs using GaEt/sub 3/ and CpCo(CO)/sub 2/ as dual organometallic sources
机译:
使用录型/子3 /和CPCO(CPCO(CPCO)/ Sub 2 /作为双有机金属源的Coga在GaAs上的化学束外延
作者:
Viguier N.
;
Maury F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
50.
Mechanism studies of Cu RIE for VLSI interconnections
机译:
CU RIE对VLSI互连的机制研究
作者:
Markert M.
;
Bertz A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
51.
Selective TiSi/sub 2/ by CVD, one step further
机译:
选择性TISI / SUB 2 / CVD,进一步一步
作者:
Maury D.
;
Regolini J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
52.
Sputter deposition and characterization of TiB/sub 2//TiSi/sub 2/ bilayer contact structure
机译:
TIB / SUB 2 // TISI / SUB 2 /双层接触结构的溅射沉积和表征
作者:
Sade G.
;
Pelleg J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
53.
Integration evaluation of low permittivity silicon based spin on materials as IMD
机译:
低介电常数硅基旋转对材料的整合评价作为IMD
作者:
Pires F.
;
Noel P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
54.
Dry etch challenges of 0.25 /spl mu/m dual damascene structures
机译:
干蚀刻挑战0.25 / SPL MU / M双镶嵌结构
作者:
Schnabel R.F.
;
Dobuzinski D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
55.
Thermal stability of thin CoSi/sub 2/ layers on polysilicon implanted with As, BF/sub 2/ and Si
机译:
植入为AS,BF / SUB 2 /和SI的多晶硅薄Cosi / sub 2 /层的热稳定性
作者:
La Via F.
;
Aberti A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
56.
SiOF and SiO/sub 2/ deposition in a HDP reactor: tool characterisation and film analysis
机译:
HDP反应器中的SIOF和SIO / SUB 2 /沉积:工具表征和薄膜分析
作者:
den Boer D.J.
;
Fukuda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
57.
The effect of an additional Ti layer in a sub-/spl mu/m double level Ti/TiN-AlSiCu-TiN metallization for a CMOS-logic-process
机译:
CMOS-Logic-Process的额外Ti层在Sub / SPRMU / M双层Ti / TiN-Alsicu-TiN金属化中的影响
作者:
Stegemann K.H.
;
Beyer C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
58.
Deposition of thin TiN films by low-power reactive magnetron sputtering
机译:
通过低功率反应磁控溅射沉积薄锡膜
作者:
Mikhalchuk P.V.
;
Orlikovsky A.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
59.
TaSiN barrier layer of the oxygen diffusion
机译:
氧气扩散的Tasin阻挡层
作者:
Hara T.
;
Tanaka M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
60.
Index
机译:
指数
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
61.
Cleaning after silicon oxide CMP
机译:
氧化硅CMP后清洗
作者:
Tardif F.
;
Mansart I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
62.
Sub-half micron metallization using high pressure Al
机译:
使用高压Al的次半微米金属化
作者:
Rich P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
63.
Local nucleation and lateral crystallisation of the silicide phases in CoSi/sub 2/ buffer layer of YBCO/CoSi/sub 2//Si structure
机译:
硅化物相的局部成核和横向结晶在YBCO / COSI / sub 2 // Si结构的辛酸/亚2 /缓冲层中的硅化物相
作者:
Belousov I.
;
Rudenko E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
64.
Copper CMP evaluation: slurry chemical effect on planarization
机译:
铜CMP评价:浆料对平坦化的化学效果
作者:
Romagna F.
;
Fayolle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
65.
Integration of a stack of two fluorine doped silicon oxide thin films with interconnect metallization for a sub-0.35 /spl mu/m inter-metal dielectric applications
机译:
一堆两种氟掺杂氧化硅薄膜与互连金属化的叠加金属金属间电介质应用的互连金属化
作者:
Baud L.
;
Passemard G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
66.
Characterization of thin TiSi/sub 2/ films by spectroscopic ellipsometry and thermal wave analysis
机译:
光谱椭圆形测定法和热波分析表征薄的TISI / SUP 2 /膜
作者:
Kal S.
;
Kasko I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
67.
High aspect ratio quarter-micron electroless copper integrated technology
机译:
高纵横比四分之一微米无电铜综合技术
作者:
Shacham-Diamand Y.
;
Lopatin S.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
68.
Formation of thin film of C- and Ni-silicide by MEVVA implantation
机译:
MEVVA植入形成C-和Ni-硅化物的薄膜
作者:
Zhang Y.
;
Whitlow H.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
69.
Multilevel interconnection technologies and future requirements for logic applications
机译:
多级互连技术和逻辑应用的未来要求
作者:
Brillouet M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
70.
Three dimensional metallization for vertically integrated circuits
机译:
垂直集成电路的三维金属化
作者:
Bollmann D.
;
Braun R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
71.
Polymers for high performance interconnects
机译:
用于高性能互连的聚合物
作者:
Taylor K.J.
;
Jeng S.-P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1997年
72.
Investigations of the interaction between different barrier metals and copper surface during the chemical-mechanical polishing
机译:
化学机械抛光过程中不同阻挡金属和铜表面相互作用的研究
作者:
Zeidler D.
;
Stavreva Z.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
73.
Advanced materials for interconnections of the future - need and strategy
机译:
用于未来互联的先进材料 - 需要和策略
作者:
Murarka S.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
74.
The change of electrical properties of the aluminum-porous silicon contact by thermal annealing
机译:
通过热退火改变铝多孔硅接触的电性能
作者:
Zimin S.P.
;
Komarov E.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
75.
Gap filling with high current pulsed are evaporation : influence of deposition parameters
机译:
具有高电流脉冲的间隙填充是蒸发:沉积参数的影响
作者:
Klimes W.
;
Wenzel C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
76.
Computer-aided design of asymmetric stripline for multichip module applications
机译:
用于多芯片模块应用的非对称带状线的计算机辅助设计
作者:
Klimchik O.V.
;
Lopatin S.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
77.
Titanium monophosphide (TIP) layers as diffusion barriers
机译:
钛二磷(尖端)层作为扩散屏障
作者:
Leutenecker R.
;
Froschle B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
78.
Some electronic properties of single crystalline NiSi
机译:
一些单晶NISI的电子特性
作者:
Meyer B.
;
Gottlieb U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
79.
TiN diffusion barriers for copper metalization
机译:
铜金属化的锡扩散屏障
作者:
Baumann J.
;
Werner T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
80.
'Issues for multilevel metallization in high density circuits'
机译:
“高密度电路中的多级金属化问题”
作者:
Joswig H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
81.
Solid state reactions and barrier properties of the thin films Ti-W on the silicon
机译:
硅薄膜Ti-W的固态反应和阻隔性能
作者:
Makogon Yu.N.
;
Maximovich L.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
82.
Optimized indium oxide films prepared by DC magnetron sputtering
机译:
通过DC磁控溅射制备的优化氧化铟膜
作者:
Axelevitch A.
;
Rabinovitch E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
83.
Laser reinforcement of polytetrafluorethylene-metal adhesive joints
机译:
聚四氟乙烯 - 金属粘合剂的激光加固
作者:
Tishkov N.I.
;
Fedosenko N.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
84.
Epitaxial CoSi/sub 2/ formation by Co/Hf bilayers on Si
机译:
在SI上的CO / HF双层的外延Cosi / sub 2 /形成
作者:
Gebhardt B.
;
Falke M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
85.
Optical properties of amorphous and crystalline FeSi/sub 2/, TaSi/sub 2/, MoSi/sub 2/ and CrSi/sub 2/ films
机译:
无定形和结晶Fesi / sub 2 /,Tasi / Sub 2 /,MOSI / Sub 2 /和CRSI / Sub 2 /薄膜的光学性质
作者:
Kudryavtsev Yu.V.
;
Belous M.V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
86.
Reaction sequence of thin ni films with 001 3C-SiC
机译:
001 3C-SiC的薄Ni膜的反应序列
作者:
Gasser S.M.
;
Bachli A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
87.
Band structure and transport properties of semiconducting rhenium silicide thin films grown epitaxially on silicon
机译:
半导体铼硅化物薄膜在硅上生长的半导体硅化物薄膜的带结构及传输性能
作者:
Muret P.
;
Ali I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
88.
LPCVD Me-Si-N (Me= Ta, Ti, W, Re) diffusion barriers in Si/SiO,/Cu metallizations
机译:
LPCVD ME-SI-N(ME = TA,TI,W,RE)Si / SiO,/ Cu金属化的扩散屏障
作者:
Blanquet E.
;
Dutron A.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
89.
Formation of Al/sub 3/Ti during physical vapor deposition of titanium on aluminium
机译:
铝物理气相沉积期间形成Al / Sup 3 / Ti
作者:
Ulmer L.
;
Pitard F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
90.
Low temperature dry etching of copper using a new chemical approach
机译:
使用新的化学方法低温干蚀刻铜
作者:
Kruck Th.
;
Schober M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
91.
Stress in copper films for interconnects
机译:
用于互连的铜膜中的应力
作者:
Riedel S.
;
Rober J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
92.
Zirconium diboride low resistance layers
机译:
锆二硼化锆低电阻层
作者:
Andreeva A.F.
;
Statsenko V.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
93.
Optimization and control of PVD TiN uniformity
机译:
PVD锡均匀性的优化和控制
作者:
Asinovsky L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
94.
Modification of Al - based metallization for improved surface morphology
机译:
基于Al基金属化改善表面形态的修饰
作者:
Zaborowski M.
;
Barcz A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
95.
Advances in the formation of C54-FiSi/sub 2/ with an interposed refractory metal layer some properties
机译:
C54-FISI / SUB 2 /带有插入难熔金属层的进展
作者:
Mouroux A.
;
Kaplan W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
96.
Ultra trace analysis and electrical characterization of Cu diffusion through thin quasi-amorphous Ta-N-O barriers
机译:
通过薄的准非晶态Ta-N-O屏障的Cu扩散的超迹线分析和电学特性
作者:
Stavrev M.
;
Fischer D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
97.
R.F. magnetron sputtered WTi and WTi-N thin films as diffusion barriers between Cu and Si
机译:
R.F.磁控管溅射WTI和WTI-N薄膜作为Cu和Si之间的扩散屏障
作者:
Ramarotafika H.
;
Lemperiere G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
98.
Size dependent phenomena during the formation of Gd and Fe silicide thin films
机译:
Gd和Fe硅化物薄膜形成过程中的大小依赖现象
作者:
Molnar G.L.
;
Peto G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
99.
Dielectric barriers for cu metallization systems
机译:
Cu金属化系统的介电屏障
作者:
Vogt M.
;
Kachel M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
100.
Al reflow studies for deep-submicron structures : properties and microstructure
机译:
深度亚微米结构的AL回流研究:性能和微观结构
作者:
Webster M.N.
;
Dirks A.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》
|
1998年
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