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【24h】

Band structure and transport properties of semiconducting rhenium silicide thin films grown epitaxially on silicon

机译：半导体铼硅化物薄膜在硅上生长的半导体硅化物薄膜的带结构及传输性能

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来源
《European Workshop on Materials for Advanced Metallization》|1998年||共1页
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作者
Muret P.; Ali I.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
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