在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件

摘要

本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括：在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属。本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。