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International Conference on Nitride Semiconductors

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1.The influence of buffer layer growth parameters on the microstructure and surface morphology of GaN on sapphire substrates correlated with in-situ reflectivity

机译：缓冲层生长参数对与原位反射率相关的蓝宝石基板上GaN微观结构和表面形态的影响
- 作者：D. A. Wood;P. J. Parbrook;R. J. Lynch;M. Lada;A. G. Cullis
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
2.Improvement of the optical and structural properties of MOCVD grown GaN on sapphire by an in-situ SiN treatment

机译：通过原位辛处理改善MOCVD生长GaN的光学和结构性质
- 作者：P. R. Hageman;S. Haffouz;V. Kirilyuk;L. Macht;J. L. Weyher;A. Grzegorczyk;P. K. Larsen
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
3.Optic and acoustic phonons in strained hexagonal GaN/AlGaN multilayer structures

机译：应变六角形GaN / AlGaN多层结构中的光学和声学声子
- 作者：V. Yu. Davydov;A. A. Klochikhin;I. E. Kozin;V. V. Emtsev;I. N. Goncharuk;A. N. Smirnov;R. N. Kyutt;M. P. Scheglov;A. V. Sakharov;W. V. Lundin;E. E. Zavarin;A. S. Usikov
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
4.Effect of reactive ambient on AlN sublimation growth

机译：反应环境对AlN升华生长的影响
- 作者：S. Yu. Karpov;A. V. Kulik;A. S. Segal;M. S. Ramm;Yu. N. Makarov
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
5.An oxygen doped nucleation layer for the growth of high optical quality GaN on sapphire

机译：氧气掺杂的成核层，用于在蓝宝石上进行高光学质量GaN的生长
- 作者：B. Kuhn;F. Scholz
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
6.Growth of Al{sub}xGa{sub}(1-x)N and In{sub}yGa{sub}(1-y)N single crystals using the Na flux method

机译：使用NA通量法的Al {Sub} XGA {Sub {Sub}（1-x）n和{sub} yga {sub}（1-y）n单晶
- 作者：K. Yasui;G. K. Kishor;H. Yamane;T. Akahane
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
7.Growth and optical properties of quaternary InAlGaN for 300 nm band UV-emitting devices

机译：300nm频带紫外线发射器件的第四纪inalGan的生长和光学性能
- 作者：H. Hirayama;A. Kinoshita;A. Hirata;Y. Aoyagi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
8.Three-dimensional imaging of ELOG growth domains by scanning cathodoluminescence tomography

机译：扫描阴极发光断层扫描通过扫描炼素生长域的三维成像
- 作者：T. Riemann;J. Christen;A. Kaschner;A. Hoffmann;C. Thomsen;M. Seyboth;F. Habel;R. Beccard;M. Heuken
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
9.Optical control of group-III and N flux intensities in plasma-assisted MBE with RF capacitively-coupled magnetron nitrogen activator

机译：血浆辅助MBE中的-III和N助熔剂的光学控制，具有射频电容耦合磁控氮激活剂的等离子体辅助MBE
- 作者：V. N. Jmerik;V. A. Vekshin;V. Yu. Davydov;V. V. Ratnikov;M. G. Tkachman;T. V. Shubina;S. V. Ivanov
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
10.Growth of AlN on etched 6H-SiC (0001) substrates via MOVCD

机译：通过MOVCD蚀刻6H-SiC（0001）基材的ALN的生长
- 作者：W. Hageman;Z. Xie;J. Edgar;D. Zhuang;S. Jagganathan;K. Barghout;J. Chaudhuri;A. Rys;J. Schmitt
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
11.Effects of the sapphire nitridation on the polarity and structural properties of GaN layers grown by plasma-assisted MBE

机译：蓝宝石硝化对等离子辅助MBE生长的GaN层极性和结构性能的影响
- 作者：A. Georgakilas;S. Mikroulis;V. Cimalla;M. Zerovs;A. Kostopoulos;Ph. Komninou;Th. Kehagias;Th. Karakostas
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
12.Crack-free thick GaN layers on silicon (111) by metalorganic vapor phase epitaxy

机译：硅（111）上无裂纹的厚GaN层，通过金属液相外延
- 作者：E. Feltin;B. Beaumont;M. Laugt;P. De Mierry;P. Vennegues;M. Leroux;P. Gibart
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
13.New iodide method for growth of GaN

机译：新碘化物法
- 作者：M. Suscavage;L. Bouthillette;D. Bliss;Sheng Qi Wang;Changmo Sung
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
14.Superior Characteristics of RuO_2/GaN Schottky-Type UV Photodetector

机译：Ruo_2 / GaN Schottky型UV光电探测器的优越特性
- 作者：SANG-HOON SHIN;BYUNG-KWON JUNG;JAE-HOON LEE;MYOUNG-BOK LEE;JUNG-HEE LEE;YONG-HYUN LEE;SUNG-HO HAHM
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
15.High quantum efficiency at low bias Al{sub}xGa{sub}(1-x)N p-i-n photodiodes

机译：低偏置Al {Sub} XGA {sub}（1-x）n p-i-n光电二极管的高量子效率
- 作者：J. C. Campbell;C. J. Collins;M. M. Wong;U. Chowdhury;A. L. Beck;R. D. Dupuis
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
16.Observation of dark spots and dark lines of GaN microcrystals grown by nitridation of gallium sulfide

机译：硫化镓氮化生长的GaN微晶的黑斑和暗线观察
- 作者：H. Kanie;K. Sugimoto;H. Okado
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
17.Progression growth and physics of nitride-based quantum dots

机译：氮化物基量子点的进展生长和物理学
- 作者：Y. Arakawa
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
18.Characteristics analysis of SAW filters fabricated using GaN thin films

机译：使用GaN薄膜制造的锯过滤器的特性分析
- 作者：Hwan-Hee Jeong;Sun-Ki Kim;Young-Chul Jung;Hyun-Chul Choi;Jung-Hee Lee;Yong-Hyun Lee
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
19.Characterization of AlN/SiC epitaxial wafers fabricated by hydride vapour phase epitaxy

机译：氢化物气相外延制造的ALN / SIC外延晶片的表征
- 作者：Yu. Melnik;D. Tsvetkov;A. Pechnikov;I. Nikitina;N. Kuznetsov;V. Dmitriev
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
20.Performance of high-power AlInGaN light emitting diodes

机译：高功率化工发光二极管的性能
- 作者：A. Y. Kim;W. Gotz;D. A. Steigerwald;J. J. Wierer;N. F. Gardner;J. Sun;S. A. Stockman;P. S. Martin;M. R. Krames;R. S. Kern;F. M. Steranka
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
21.The growth of GaN using plasma assisted metalorganic vapour phase epitaxy

机译：使用血浆辅助金属蒸气阶段外延GaN的生长
- 作者：R. P. Campion;T. Li;C. T. Foxon;I. Harrison
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
22.Au catalyzed structural and electrical evolution of Ni/Au contact to GaN

机译：Au催化Ni / Au与GaN接触的结构和电气演化
- 作者：C. C. Kim;J. K. Kim;J. L. Lee;J. H. Je;M. S. Yi;D. Y. Noh;Y. Hwu;P. Ruterana
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
23.Effect of well thickness on GaN/AlGaN separate confinement heterostructure emission

机译：井厚对GaN / AlGaN的效果单独限制异质结构排放
- 作者：G. Gainer;Y. Kwon;J. Lam;S. Bidnyk;A. Kalashyan;J. Song;S. Choi;G. Yang
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
24.Estimation of device properties in AlGaInN-based laser diodes by time-resolved photoluminescence

机译：通过时间分辨光致发光估计基于AlAlaInn基激光二极管的装置性质
- 作者：T. Hino;T. Asano;T. Tojyo;S. Kijima;S. Tomiya;T. Miyajima;S. Uchida;M. Ikeda
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
25.Epitaxial lateral overgrowth of GaN on silicon (111)

机译：硅上的GaN的外延横向过度生长（111）
- 作者：E. Feltin;B. Beaumont;P. Vennegues;T. Riemann;J. Christen;J. P. Faurie;P. Gibart
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
26.Nanometer-Scale Conversion of Si_3N_4 to SiO_x for Applications in Lithography, Micromachining, and Selective-Area CVD

机译：SI_3N_4的纳米级转换为光刻，微机械和选择区CVD应用的SI_3N_4至SIO_X
- 作者：S. GWO;T. T. CHEN;T. YASUDA;S. YAMASAKI
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
27.Acoustical and optical gallium nitride waveguides grown on Si(111) by metalorganic vapor phase epitaxy

机译：通过金属机气相外延在Si（111）上生长的声学和光学氮化镓波导
- 作者：H. P. D. Schenk;E. Feltin;M. Vaille;P. Gibart;R. Kunze;H. Schmidt;M. Weihnacht;E. Dogheche
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
28.Flow modulation growth of thick GaN by hydride vapor phase epitaxy

机译：氢化物气相外延厚GaN的流量调节生长
- 作者：W. Zhang;T. Riemann;H. R. Alves;M. Heuken;P. Veit;D. Pfisterer;D. M. Hofmann;J. Blaesing;A. Krost;J. Christen;B. K. Meyer
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
29.Growth of submicron AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)

机译：通过氢化物气相外延（HVPE）生长亚微米AlGaN / GaN / AlGaN异质结构
- 作者：D. Tsvetkov;Yu. Melnik;A. Davydov;A. Shapiro;O. Kovalenkov;J. B. Lam;J. J. Song;V. Dmitriev
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
30.A high injection resonant cavity violet light emitting diode incorporating (Al,Ga)N distributed Bragg reflector

机译：一种高注射谐振腔紫光发光二极管（Al，Ga）n分布式布拉格反射器
- 作者：M. Diagne;Yiping He;H. Zhou;E. Makarona;A. V. Nurmikko;J. Han;T. Takeuchi;M. Krames
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
31.High output power InGaN ultraviolet light-emitting diodes fabricated on patterned substrates using metalorganic vapor phase epitaxy

机译：高输出功率IngaN紫外线发光二极管，采用金属蒸汽相外延上的图案底物上制造
- 作者：K. Tadatomo;H. Okagawa;Y. Ohuchi;T. Tsunekawa;T. Jyouichi;Y. Imada;M. Kato;H. Kudo;T. Taguchi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
32.GaN growth on novel lattice-matching substrate: tilted M-plane sapphire

机译：GaN在新颖的晶格匹配基板上的增长：倾斜的M平面蓝宝石
- 作者：T. Matsuoka;E. Hagiwara
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
33.Superior characteristics of RuO{sub}2/GaN Schottky-type UV photodetector

机译：Ruo {Sub} 2 / GaN Schottky型UV光电探测器的优越特性
- 作者：Sang-Hoon Shin;Byung-Kwon Jung;Iae-Hoon Lee;Myoung-Bok Lee;Jung-Hee Lee;Yong-Hyun Lee;Sung-Ho Hahm
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
34.Effect of dielectric layers on the performance of AlGaN-based UV Schottky photodiodes

机译：介电层对基于Algan的UV肖特基光电二极管的影响
- 作者：E. Monroy;F. Calle;J. L. Pau;E. Munoz;M. Verdu;F. J. Sanchiez;M. T. Montojo;F. Omnes;Z. Bougrioua;I. Moerman;E. San Andres
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
35.AlGaN UV focal plane arrays

机译：AlGaN UV焦平面阵列
- 作者：P. Lamarre;A. Hairston;S. P. Tobin;K. K. Wong;A. K. Sood;M. B. Peine;M. Pophristic;R. Birkham;I. T. Ferguson;R. Singh;C. R. Eddy Jr.;U. Chowdhury;M. M. Wong;R. D. Dupuis;P. Kozodoy;E. J. Tarsa
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
36.P-type doping of cubic GaN by carbon

机译：碳的立方GaN的p型掺杂
- 作者：D. J. As;U. Kohler;M. Lubbers;J. Mimkes;K. Lischka
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
37.High performance solar blind detectors based on AlGaN grown by MBE on Si

机译：基于AlGan的高性能太阳盲检测器由MBE在SI上生长
- 作者：J. Y. Duboz;J. L. Reverchon;D. Adam;B. Damilano;F. Semond;N. Grandjean;J. Massies
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
38.Progress in Growth and Physics of Nitride-Based Quantum Dots

机译：氮化物基量子点的生长和物理研究进展
- 作者：Y. ARAKAWA
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
39.Determination of Alloy composition and residual stress for Al{sub}Ga{sub}(1-x)N/GaN epitaxial films

机译：Al {Sub} Ga}（1-x）N / GaN外延膜的合金组成和残余应力的测定
- 作者：Q. Paduano;D. Weyburne;S. Q. Wang
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
40.In site and ex situ evaluation of mechanisms of lateral epitaxial overgrowth

机译：在现场和EX SITU侧向外延过度生长机制的评价
- 作者：I. M. Watson;C. Liu;K. S. Kim;H. S. Kim;C. J. Deatcher;J. M. Girkin;M. D. Dawson;P. R. Edwards;C. Trager-Cowan;R. W. Martin
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
41.Residual doping effects on the amplitude of polarization-induced electric fields in GaN/AlGaN quantum wells

机译：GaN / AlGaN量子阱中偏振诱导电场幅度的残余掺杂效应
- 作者：J. Simon;R. Langer;A. Barski;M. Zervos;N. T. Pelekanos
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
42.Determination of band-gap bowing for Al{sub}xGa{sub}(1-x)N alloys

机译：用于Al {Sub} XGA {Sub}（1-X）N合金的带间隙弯曲的测定
- 作者：O. Katz;B. Meyler;U. Tisch;J. Saizman
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
43.Comparison of GaN buffer layers grown on GaAs (111)A and (111)B surfaces

机译：GaAs（111）A和（111）B表面上生长的GaN缓冲层的比较
- 作者：Y. Kumagai;H. Murakami;H. Seki;A. Koukitu
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
44.Temperature dependence of transmission and emission spectra in MOCVD-grown AlGaN ternary alloys

机译：MOCVD生长Algan三元合金中传输和发射光谱的温度依赖性
- 作者：Yong-Hoon Cho;G. H. Gainer;J. B. Lam;J. J. Song;W. Yang
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
45.Optical characterization of MBE grown zinc-blende AlGaN

机译：MBE成长锌 - 勃姆Algan的光学表征
- 作者：E. Martinez-Guerrero;F. Enjalbert;J. Barjon;E. Bellet-Almaric;B. Daudin;G. Ferro;D. Jalabert;Le Si Dang;H. Mariette;Y. Monteil;G. Mula
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
46.AlGaN/GaN HEMT optimization using the roundHEMT technology

机译：AlGaN / GaN HEMT优化使用迂回技术
- 作者：M. Marso;P. Javorka;A. Alam;M. Wolter;H. Hardtdegen;A. Fox;M. Heuken;P. Kordos;H. Luth
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
47.The influence of nucleation parameters on GaN buffer layer properties used for HEMT application

机译：成核参数对HEMT应用的GaN缓冲层性能的影响
- 作者：N. Nastase;H. Hardtdegen;R. Schmidt;H. Bay;H. Luth;A. Alam;M. Heuken
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
48.Nuclear microprobe analysis of GaN based light emitting diodes

机译：GaN的核微探剂分析基于GaN的发光二极管
- 作者：L. Hirsch;A. S. Barriere;P. Moretto;B. Damilano;N. Grandjean;J. Massies;J. Y. Duboz
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
49.Growth, optical and structural characterization of InGaN/GaN/AlGaN optically pumped lasers

机译：InGaN / GaN / Algan光学泵浦激光器的生长，光学和结构表征
- 作者：W. V. Lundin;A. V. Sakharov;A. S. Usikov;D. A. Bedarev;A. F. Tsatsulnikov;Ru. Chin Tu;Sun Bin Yin;Jim Y. Chi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
50.Quasi two-dimensional modeling of GaN-based MODFETs

机译：基于GAN的MODFET的准二维建模
- 作者：F. Sacconi;A. Di Carlo;P. Lugli;H. Morkoc
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
51.Polarity of GaN grown on sapphire by molecular beam epitaxy with different buffer layers

机译：用不同的缓冲层的分子束外延在蓝宝石上生长的GaN的极性
- 作者：D. Huang;P. Visconti;M. A. Reshchikov;F. Yun;T. King;A. A. Baski;C. W. Litton;J. Jasinski;Z. Liliental-Weber;H. Morkoc
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
52.High current gains obtained by InGaN/GaN double heterojunction bipolar transistors

机译：由IngaN / GaN双异质结双极晶体管获得的高电流增益
- 作者：T. Makimoto;K. Kumakura;N. Kobayashi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
53.Ultraviolet pumped tricolor phosphor blend white emitting LEDs

机译：紫外线泵浦三色荧光体混合白色发光LED
- 作者：U. Kaufmann;M. Kunzer;K. Kohler;H. Obloh;W. Pletschen;P. Schlotter;R. Schmidt;J. Wagner;A. Ellens;W. Rossner;M. Kobusch
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
54.Mass transport regrowth of GaN for ohmic contacts to AlGaN/GaN

机译：甘甘草对Algan / GaN的欧姆接触的大众交通再生
- 作者：S. Heikman;S. Keller;B. Moran;R. Coffie;S. P. DenBaars;U. K. Mishra
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
55.15 W AlGaN/GaN heterojunction FET on sapphire substrate

机译：在蓝宝石衬底上15 W AlGaN / GaN异质结FET
- 作者：Y. Ando;Y. Okamoto;H. Miyamoto;N. Hayama;T. Nakayama;K. Kasahara;Y. Ohno;M. Kuzuhara
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
56.Indium surfactant assisted growth of AlN/GaN heterostructures by metal-organic chemical vapor deposition

机译：通过金属 - 有机化学气相沉积辅助表面活性剂辅助AlN / GaN异质结构的生长
- 作者：S. Keller;S. Heikman;I. Ben-Yaacov;L. Shen;S. P. DenBaars;U. K. Mishra
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
57.Influence of pinhole-type defects in AlGaN on rf performance of AlGaN/GaN HFETs grown by MOCVD

机译：AlGaN在MOCVD生长的AlGaN / GaN HFET的RF性能中的影响
- 作者：Jong-Wook Kim;Jae-Seung Lee;Jin-Ho Shin;Jae-Hoon Lee;Sung-Ho Hahm;Jung-Hee Lee;Chang-Seok Kim;Jae-Eung Oh;Moo-Whan Shin
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
58.Nanometer-scale conversion of Si{sub}3N{sub}4 to SiO{sub}x for applications in lithography, micromachining, and selective-area CVD

机译：Si {Sub} 3N {sub} 4的纳米级转换为光刻，微机械和选择区CVD应用的SI {SUB} 4。
- 作者：S. Gwo;T. T. Chen;T. Yasuda;S. Yamasaki
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
59.Demonstration of flame detection in room light background by solar-blind AlGaN PIN photodiode

机译：太阳盲ALGAN PIN PIN光电二极管在室内轻型背景中的火焰检测示范
- 作者：A. Hirano;C. Pernot;M. Iwaya;T. Detchprohm;H. Amano;I. Akasaki
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
60.Kilovolt AlGaN/GaN HEMTs as switching devices

机译：Kilovolt Algan / GaN Hemts作为开关装置
- 作者：N. Q. Zhang;B. Moran;S. P. DenBaars;U. K. Mishra;X. W. Wang;T. P. Ma
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
61.Fabrication of 50-100 nm patterned InGaN blue light emitting heterostructures

机译：制造50-100nm图案印度蓝光发射异质结构
- 作者：Lu Chen;Aijun Yin;A. V. Nurmikko;J. M. Xu;J. Han;J. S. Im
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
62.Multiple quantum well InGaN/GaN blue optically pumped lasers operating in the spectral range of 450-470 nm

机译：多量子阱Ingan / GaN蓝色光学泵浦激光器在450-470nm的光谱范围内操作
- 作者：G. P. Yablonskii;E. V. Lutsenko;V. N. Pavlovskii;I. P. Marko;A. L. Gurskii;V. Z. Zubialevich;O. Schon;H. Protzmann;M. Lunenburger;B. Schineller;M. Heuken
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
63.Reliability of Schottky contacts on AlGaN

机译：Algan上肖特基联系人的可靠性
- 作者：E. Monroy;E. Calle;T. Palacios;J. Sanchez-Osorio;M. Verdu;F. J. Sanchez;M. T. Montojo;F. Omnes;Z. Bougrioua;I. Moerman;P. Ruterana
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
64.InGaN multiple-quantum-well light emitting diodes on Si(111) substrates

机译：Si（111）衬底上的ingaN多量子阱发光二极管
- 作者：B. J. Zhang;T. Egawa;H. Ishikawa;N. Nishikawa;T. Jimbo;M. Umeno
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
65.Characterization of aluminum nitride crystals grown by sublimation

机译：升华生长氮化铝晶体的表征
- 作者：L. Liu;D. Zhuang;B. Liu;Y. Shi;J. H. Edgar;S. Rajasingam;M. Kuball
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
66.Ten-milliwatt operation of an AlGaN-based light emitting diode grown on GaN substrate

机译：GaN衬底上生长的基于Algan的发光二极管的十毫瓦操作
- 作者：T. Nishida;N. Kobayashi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
67.Measurement of Al_xGa_(1-x)N Refractive Indices

机译：al_xga_（1-x）n折射率的测量
- 作者：G. WEBB-WOOD;UE. OEZGUER;H. O. EVERITT;F. YUN;H. MORKOC
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
68.Characteristics of InGaN/GaN light-emitting diode with Si δ-doped GaN contact layer

机译：具有Siδ掺杂GaN接触层的IngaN / GaN发光二极管的特性
- 作者：S. R. Jeon;M. S. Jo;T. V. Humg;G. M. Yang;H. K. Cho;J. Y. Lee;S. W. Hwang;S. J. Son
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
69.Initial nucleation study and new technique for sublimation growth of AlN on SiC substrate

机译：ALN升华生长的初始成核研究和SiC衬底的升华生长
- 作者：Y. Shi;B. Liu;L. Liu;J. H. Edgra;H. M. Meyer III;E. A. Payzant;L. R. Walker;N. D. Evans;J. G. Swadener;J. Chaudhuri;Joy Chaudhuri
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
70.A new 'three-step method' for high quality MOVPE growth of III-nitrides on sapphire

机译：一种新的“三步法”，在蓝宝石上高质量的Movpe生长III-氮化物
- 作者：A. Yoshikawa;K. Takahashi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
71.GaN-based light-emitting diodes and laser diodes, and their recent progress

机译：基于GaN的发光二极管和激光二极管，以及他们最近的进展
- 作者：S. Nagahama;N. Iwasa;M. Senoh;T. Matsushita;Y. Sugimoto;H. Kiyoku;T. Kozaki;M. Sano;H. Matsumura;H. Umemoto;K. Chocho;T. Yanamoto;T. Mukai
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
72.Systematics of optical gain in GaInN/GaN laser structures

机译：增益/ GaN激光结构中光学增益的系统学
- 作者：S. Heppel;A. Hangleiter;S. Bader;G. Bruderl;A. Weimar;V. Kommler;A. Lell;V. Harle;J. Off;B. Kuhn;F. Scholz
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
73.Vertical versus lateral GaN Schottky ultraviolet detectors and their gain mechanism

机译：垂直与横向GaN肖特基紫外探测器及其增益机制
- 作者：O. Katz;V. Garber;B. Meyler;G. Bahir;J. Salzman
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
74.Properties of Si-doped GaN layers grown by HVPE

机译：HVPE种植的Si-掺杂GaN层的性质
- 作者：A. V. Fomin;A. E. Nikolaev;I. P. Nikitina;A. S. Zubrilov;M. G. Mynbaeva;N. I. Kuznetsov;A. P. Kovarsky;B. Ja Ber;D. V. Tsvetkov
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
75.Polarity inversion during halide VPE growth of GaN on GaAs(111)B-As surface at high temperatures

机译：在高温下GaAs（111）B-AS表面的GaN卤化物VPE生长期间的极性反转
- 作者：F. Hasegawa;M. Namerikawa;O. Takahashi;R. Souda
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
76.Observations of segregation of Al in AlGaN alloys

机译：Algan合金中Al偏析的观察
- 作者：L. Chang;S. K. Lai;F. R. Chen;J. J. Kai
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
77.Study of (Al,Ga)N Bragg mirrors grown on Al{sub}2O{sub}3 (0001) and Si(111) by metalorganic vapor epitaxy

机译：通过金属蒸汽外延在Al {Sub} 2O {Sub} 3（0001）和Si（111）上生长的（Al，Ga）n布拉格镜的研究
- 作者：H. P. D. Schenk;E. Feltin;P. Vennegues;O. Tottereau;M. Laugt;M. Vaille;B. Beaumont;P. De Mierry;P. Gibart;S. Fernandez;F. Calle
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
78.Low resistance non-alloy ohmic contact to p-type GaN using Mg-doped InGaN contact layer

机译：低电阻非合金欧姆接触P型GaN使用Mg掺杂的Ingan接触层
- 作者：K. Kumakura;T. Makimoto;N. Kobayashi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
79.Selective area growth of GaN on SiC substate by ammonia-source MBE

机译：通过氨来源MBE在SiC子变电站上的选择性区域生长
- 作者：H. Tang;J. A. Bardwell;J. B. Webb;S. Rolfe;S. Moisa;J. Fraser;S. Raymond;P. Sikora
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
80.Investigation of different Si(111) surface preparation methods for the heteroepitaxy of GaN by plasma-assisted MBE

机译：不同Si（111）表面制备方法对血浆辅助MBE杂交的不同Si（111）表面制备方法
- 作者：M. Androulidaki;A. Georgakilas;F. Peiro;K. Amimer;M. Zervos;K. Tsagaraki;M. Dimakis;A. Cornet
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
81.A new approach to the growth of cubic GaN films using an AlN/GaN ordered alloy as a buffer layer

机译：使用Aln / GaN有序合金作为缓冲层的立方GaN薄膜生长的新方法
- 作者：R. Kimura;J. Shike;A. Shigemori;K. Ishida;K. Takahashi
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
82.Gadolinium oxide and scandium oxide: gate dielectrics for GaN MOSFETs

机译：氧化钆和氧化钪：GaN MOSFET的栅极电介质
- 作者：B. P. Gila;J. W. Johnson;R. Mehandru;B. Luo;A. H. Onstine;K. K. Allums;V. Krishnamoorthy;S. Bates;C. R. Abernathy;F. Ren;S. J. Pearton
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
83.Uniformity and scalability of AlGaN/GaN HEMTs using stepper lithography

机译：AlGaN / GaN Hemts使用步进光刻的均匀性和可扩展性
- 作者：R. Lossy;J. Hilsenbeck;J. Wurfl;H. Obloh
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
84.Photoconductivity studies of Al{sub}0.18Ga{sub}0.82N/GaN single heterostructure

机译：Al {Sub} 0.18gA {} 0.82N / GaN单异质结构的光电导性研究
- 作者：M. Niehus;R. Schwarz;S. Koynov;P. Sanguino;M. Heuken;B. K. Meyer
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
85.Extraction efficiency of GaN-based LEDs

机译：GaN基LED提取效率
- 作者：S. S. Schad;M. Scherer;M. Seyboth;V. Schwegler
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
86.The silicon nitride film formed by ECR-CVD for GaN-based LED passivation

机译：通过ECR-CVD形成的基于GaN的LED钝化形成的氮化硅膜
- 作者：K. M. Chang;C. C. Lang;C. C. Cheng
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
87.Transmission electron microscope analysis of microstructures in GaN grown on (111)A and (111)B of GaAs by metalorganic hydrogen chloride vapor-phase epitaxy

机译：通过金属有机氯化氢气相外延产生GaA的GaN中GaN的微观结构的透射电子显微镜分析
- 作者：T. Mitate;Y. Sonoda;K. Oki;N. Kuwano;Y. Kumagai;H. Murakami;A. Koukitu
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
88.UV moderation of nitride films during remote plasma enhanced chemical vapour deposition

机译：远程等离子体中氮化物膜的UV调节增强化学气相沉积
- 作者：K. S. A. Butcher;Afifuddin;P. P. T. Chen;E. M. Goldys;T. L. Tansley
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
89.AlN/AlGaN Bragg reflectors grown by gas source molecular beam epitaxy

机译：ALN / AlGan Bragg反射器由气体源分子束外延生长
- 作者：G. Kipshidze;V. Kuryatkov;K. Choi;Iu Gherasoiu;B. Borisov;S. Nikishin;M. Holtz;D. Tsvetkov;V. Dmitriev;H. Temkin
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
90.Large built-in electric field and its influence on the pressure behavior of the light emission from GaN/AlGaN strained quantum wells

机译：大型内置电场及其对GaN / Algan紧张量子阱的光发射压力行为的影响
- 作者：P. Perlin;T. Suski;S. P. Leprkowski;H. Teisseyre;N. Grandiean;J. Massies
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
91.Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN grown on metal substrate by NH{sub}3 source MBE

机译：通过NH {Sub} 3源MBE在金属基板上生长的多晶GaN的强光发光排放
- 作者：H. Asahi;H. Tampo;K. Yamada;K. Ohnishi;Y. Imanishi;K. Asami
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
92.Surface morphology of Al{sub}xGa{sub}(1-x)N films grown by MOCVD

机译：MOCVD生长的Al {Sub} XGA {Sub}（1-x）N的表面形态
- 作者：L. Geng;F. A. Ponce;S. Tanaka;H. Omiya;Y. Nakagawa
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
93.Potentialities of GaN-based microcavities grown on silicon substates

机译：在硅变电站上生长的GaN基微腔的潜力
- 作者：N. Antoine-Vincent;F. Natali;F. Semond;M. Leroux;N. Grandjean;J. Massies;J. Leymarie;A. Vasson
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
94.Dislocations in GaN-based laser diodes on epitaxial lateral overgrown GaN layers

机译：基于GaN的激光二极管在外延横向覆盖GaN层中的脱位
- 作者：S. Tomiya;H. Nakajima;K. Funato;T. Miyajima;K. Kobayashi;T. Hino;S. Kijima;T. Asano;M. Ikeda
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
95.Allowable substrate bias for the etching of n-GaN in photo-enhanced electrochemical etching

机译：用于光增强电化学蚀刻中N-GaN的蚀刻的允许衬底偏压
- 作者：J. W. Seo;C. S. Oh;J. W. Yang;G. M. Tang;K. Y. Lim;C. J. Yoon;H. J. Lee
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
96.High quantum efficiency AlGaN/GaN solar-blind photodetectors grown by metalorganic chemical vapor deposition

机译：高量子效率AlGaN / GaN太阳能盲光电探测器由金属有机化学气相沉积种植
- 作者：M. M. Wong;U. Chowdhury;C. J. Collins;B. Yang;J. C. Denyszyn;K. S. Kim;J. C. Campbell;R. D. Dupuis
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
97.Crystal growth of GaN on (Mn,Zn)Fe{sub2O{sub}4 substates

机译：GaN的晶体生长（Mn，Zn）Fe {sub 2o {sub} 4个代位物
- 作者：J. Ohta;H. Fujioka;H. Takahashi;M. Oshima
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
98.Molecular-beam epitaxy of GaN: a phase diagram

机译：GaN的分子束外延：相图
- 作者：C. Adelmann;J. Brault;E. Martinez-Guerrero;G. Mula;H. Mariette;Le Si Dang;B. Daudin
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
99.Back bias effects in AlGaN/GaN HFETs

机译：在AlGaN / GaN HFET中返回偏见效应
- 作者：M. J. Uren;D. Herbert;T. Martin;B. T. Hughes;J. Birbeck;R. Balmer;A. J. Pidduck;S. K. Jones
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年
100.Suppression of hexagonal GaN in cubic GaN growth by In surfactant effect combined with the precise control of V/III ratio

机译：表面活性剂效应中立方GaN生长抑制六边形GaN结合V / III比的精确控制
- 作者：A. Hashimoto;H. Mori;Y. Nishio;T. Li;C. T. Foxon;A. Yamamoto
- 会议名称：《International Conference on Nitride Semiconductors》 | 2002年