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IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989
IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989
召开年:
1989
召开地:
Taiwan
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
2.
Session 6: failure analysis (11)
机译:
专场6:失败分析(11)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
3.
Session 2: failure analysis (1)
机译:
第二部分:故障分析(1)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
4.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
5.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
6.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
7.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
8.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
9.
Session 5: ESD/latchup (1)
机译:
部分5:ESD /闩锁(1)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
10.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
11.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
12.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
13.
11th International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits
机译:
第十一届集成电路物理与故障分析国际研讨会
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
14.
Copyright Page
机译:
版权页
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
15.
Chairmen's message
机译:
董事长致辞
作者:
Shyu J.M.
;
Chung S.S.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
16.
Keynote address
机译:
主题演讲
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
17.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
18.
Session 13: ESD/latchup (II)
机译:
专场13:ESD /闩锁(II)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
19.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
20.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
21.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
22.
Session 15: nonvolatile memory reliability (II)
机译:
专题15:非易失性存储器的可靠性(II)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
23.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
24.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
25.
Session 16: failure analysis (V)
机译:
专场16:失败分析(V)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
26.
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机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
27.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
28.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
29.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
30.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
31.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
32.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
33.
Forward scattered scanning electron microscopy for semiconductor metrology and failure analysis
机译:
用于半导体计量和故障分析的前向散射扫描电子显微镜
作者:
Vanderlinde W.E.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
34.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
35.
Session 3: mechanisms of oxide breakdown
机译:
第三部分:氧化物分解的机理
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
36.
Scanning magnetoresistive microscopy for die-level sub-micron current density mapping
机译:
扫描磁阻显微镜用于芯片级亚微米电流密度映射
作者:
Schrag B.D.
;
Liu X.Y.
;
Carter M.J.
;
Xiao G.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
37.
Proceedings of the 11th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. IPFA 2004 (IEEE Cat. No.04TH8743)
机译:
第十一届集成电路物理和故障分析国际研讨会论文集。 IPFA 2004(IEEE目录号04TH8743)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
38.
Session 1: high-k dielectrics reliability (1)
机译:
部分1:高k电介质的可靠性(1)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
39.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
40.
Breaker page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
41.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
42.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
43.
Session 8: failure analysis (III)
机译:
第八讲:故障分析(三)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
44.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
45.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
46.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
47.
Session 10: electromigration
机译:
第十节:电迁移
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
48.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
49.
Session 11: reliability and failure analysis in specialist devices
机译:
专题11:专业设备中的可靠性和故障分析
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
50.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
51.
Session 12: failure analysis (iv)
机译:
专场12:故障分析(iv)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
52.
Breaker Page
机译:
断路器页面
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
53.
Session 14: packaging related failure mechanisms
机译:
第十四节:包装相关的故障机制
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
54.
Session 18: failure analysis (VI)
机译:
专场18:故障分析(六)
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
55.
Low k damage control its reliability for organic hybrid dual damascene
机译:
有机混合双镶嵌的低k损伤控制及其可靠性
作者:
Su Y.N.
;
Shieh J.H.
;
Hsu P.F.
;
Lin K.C.
;
Chiou W.C.
;
Kuo H.H.
;
Tao H.J.
;
Liang M.S.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
56.
Electrical diagnosis and failure analysis on tree structure circuit
机译:
树状结构电路的电气诊断与故障分析
作者:
Chia-Chi Ho
;
Jeng-Han Lee
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
57.
Investigation of plasma-induced damage of nickel mono-silicide in semiconductor manufacturing
机译:
等离子体诱导半导体制造中单硅化镍的损伤研究
作者:
Hsu P.F.
;
Tsai M.H.
;
Perng B.C.
;
Shieh J.H.
;
Tao H.J.
;
Liang M.S.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
58.
2004 IPFA organization
机译:
2004 IPFAS组织
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
59.
Resistance monitoring vehicle for advanced copper process technology
机译:
用于先进铜工艺技术的电阻监测工具
作者:
de Jong J.L.
;
Hsueh I.-C.E.
;
Nguyen L.L.
;
Nguyen T.
;
Gitlin D.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
60.
Isolating failure location by using a dynamic emission microscopy system -a specific IddQ fail case study
机译:
使用动态发射显微镜系统隔离故障位置-特定的IddQ故障案例研究
作者:
Cha-Ming Shen
;
Chien-Hui Chen
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
61.
The effect of geometry in the characterization of barrier profile in vias by transmission electron microscopy
机译:
透射电子显微镜对通孔势垒轮廓表征中几何形状的影响
作者:
Li-Chien Chen
;
Tan-Chen Lee
;
Jui-Yen Huang
;
Su D.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
62.
Author's index
机译:
作者索引
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
63.
Characterization of split gate flash memory endurance degradation mechanism
机译:
分裂栅闪存耐久性下降机制的表征
作者:
Wu T.I.
;
Chih Y.D.
;
Chen S.H.
;
Wang W.
;
Mi-Chang Chang
;
Shih J.R.
;
Chin H.W.
;
Wu K.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
64.
Relationship between AC stress and DC stress on tunnel oxides
机译:
隧道氧化物的交流应力和直流应力之间的关系
作者:
Zous N.K.
;
Chen Y.J.
;
Chin C.Y.
;
Tsai W.J.
;
Lu T.C.
;
Chen M.S.
;
Lu W.P.
;
Tahui Wang
;
Pan S.C.
;
Ku J.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
65.
Sub-threshold swing degradation due to localized charge storage in SONOS memories
机译:
SONOS存储器中的局部电荷存储导致亚阈值摆幅降低
作者:
Tomar B.
;
Rao V.R.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
66.
Novel technique for detecting the open fault using electroplating
机译:
电镀检测开路故障的新技术
作者:
Wang H.S.
;
Hung H.C.
;
Chou J.H.
;
Yang W.H.
;
Sun L.C.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
67.
Applications of plan-view TEM analysis to IC debugging
机译:
平面TEM分析在IC调试中的应用
作者:
Hsieh Y.F.
;
Chen J.C.
;
Lo C.K.
;
Wu Y.R.
;
Chiu J.F.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
68.
Dielectric-breakdown-induced epitaxy: a universal breakdown defect in ultrathin gate dielectrics
机译:
介电击穿引起的外延:超薄栅极电介质的普遍击穿缺陷
作者:
Ranjan R.
;
Pey K.L.
;
Selvarajoo T.A.L.
;
Tang L.J.
;
Tung C.H.
;
Lin W.H.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
69.
Technology and reliability challenges - a foundry perspective semiconductor foundry
机译:
技术和可靠性挑战-代工厂的观点半导体代工厂
作者:
Sun J.Y.-C.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
70.
TRE signal processing by positive photon discrimination
机译:
通过正光子识别处理TRE信号
作者:
Desplats R.
;
Faggion G.
;
Remmach M.
;
Beaudoin F.
;
Perdu P.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
71.
Advances in magnetic-based current imaging for high resistance defects and sub-micron resolution
机译:
基于磁性的电流成像技术在高电阻缺陷和亚微米分辨率方面的进展
作者:
Knauss L.A.
;
Orozco A.
;
Woods S.I.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
72.
Efficient improvement of hot-carrier-induced degradation for sub-0.1 μm CMOSFET
机译:
小于0.1μmCMOSFET的热载流子引起的退化的有效改善
作者:
Chieh-Ming Lai
;
Yean-Kuen Fang
;
Wen-Kuan Yeh
;
Chia-Che Hu
;
Jung-Chun Lin
;
Shing-Tai Pan
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
73.
Active ESD shunt with transistor feedback to reduce latchup susceptibility or false triggering
机译:
有源ESD分流器具有晶体管反馈,可降低闩锁敏感性或误触发
作者:
Tong P.C.F.
;
Wensong Chen
;
Jiang R.H.C.
;
Hui J.
;
Ping Ping Xu
;
Liu P.Z.Q.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
74.
Geometry dependence of gate oxide breakdown evolution MOSFET
机译:
栅极氧化物击穿演化的几何相关性MOSFET
作者:
Sun Y.
;
Pey K.L.
;
Tung C.H.
;
Lombardo S.
;
Palumbo F.
;
Tang L.J.
;
Radhakrishnan M.K.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
75.
The leakage current study on Cu/TaSi
x
/porous silica damascene structures
机译:
Cu / TaSi
x sub> /多孔二氧化硅镶嵌结构的漏电流研究
作者:
Chung-Hsien Chen
;
Fon-Shan Huang
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
76.
The leakage current study on Cu/TaSi
x
/porous silica damascene structures
机译:
Cu / TaSi
x sub> /多孔二氧化硅镶嵌结构的漏电流研究
作者:
Chung-Hsien Chen
;
Fon-Shan Huang
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
77.
The positive trigger voltage lowering effect for latch-up
机译:
触发电压的正向下降效应可实现闩锁
作者:
Jian-Hsing Lee
;
Wu-Te Weng
;
Jiaw-Ren Shih
;
Kuo-Feng Yu
;
Tong-Chern Ong
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
78.
Effects of base oxide in HfSiO/SiO
2
high-k gate stacks
机译:
HfSiO / SiO
2 sub>高k栅堆叠中基础氧化物的作用
作者:
Wu W.H.
;
Chen M.C.
;
Wang M.F.
;
Hou T.H.
;
Yao L.G.
;
Jin Y.
;
Chen S.C.
;
Liang M.S.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
79.
Post deposition annealing effects on the reliability of ALD HfO
2
films on strained-Si
0.8
Ge
0.2
layers
机译:
沉积后退火对应变Si
0.8 sub> Ge
0.2 sub>层上ALD HfO
2 sub>薄膜可靠性的影响
作者:
Tzeng P.J.
;
Maikap S.
;
Lai W.Z.
;
Liang C.S.
;
Chen P.S.
;
Lee L.S.
;
Liu C.W.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
80.
Comparison of oxide breakdown progression in ultra-thin oxide SOI and bulk pMOSFETs
机译:
比较超薄氧化物SOI和体pMOSFET的氧化物击穿进展
作者:
Chan C.T.
;
Kuo C.H.
;
Tang C.J.
;
Chen M.C.
;
Wang T.
;
Lu S.H.
;
Hu H.C.
;
Chen T.F.
;
Yang C.K.
;
Lee M.T.
;
Wu D.Y.
;
Chen J.K.
;
Chien S.C.
;
Sun S.W.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
81.
Evaluating RF ESD protection design: An overview
机译:
评估RF ESD保护设计:概述
作者:
Guang Chen
;
Wang A.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
82.
Interface microstructure evolution of lead-free solder on Ni-based under bump metallizations during reflow and high temperature storage
机译:
回流和高温存储过程中凸点金属化条件下镍基无铅焊料界面微观结构的演变
作者:
Chih Hang Tung
;
Poi Siong Teo
;
Lee C.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
83.
Failure mechanism of smaller substrate bond pad size in flip chip technology
机译:
倒装芯片技术中较小的基板焊盘尺寸的失效机理
作者:
CheeKoang Chen
;
SeawLai Cheah
;
ToonYoon Ang
;
Kuljeet Singh
;
Earley A.A.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
84.
New insights into the charge loss components in a SONOS flash memory cell before and after long term cycling
机译:
长期循环前后SONOS闪存单元中电荷损耗组件的新见解
作者:
Lin Y.T.
;
Chiang P.-Y.
;
Lai C.S.
;
Chung S.S.
;
Chou G.
;
Huang C.T.
;
Chen P.
;
Chu C.H.
;
Hsu C.C.-H.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
85.
Improved performance of flash memory by silicon nitride/silicon dioxide stack tunnel dielectric
机译:
氮化硅/二氧化硅堆栈隧道电介质改善了闪存的性能
作者:
Lai H.Y.
;
Chang-Liao K.S.
;
Wang T.K.
;
Song Z.F.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
86.
Reliability and device scaling challenges of trapping charge flash memories
机译:
捕获电荷闪存的可靠性和设备扩展挑战
作者:
Yeh C.C.
;
Tsai W.J.
;
Lu T.C.
;
Liao Y.Y.
;
Zous N.K.
;
Chen H.Y.
;
Tahui Wang
;
Wenchi Ting
;
Ku J.
;
Chih-Yuan Lu
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
87.
Efficient improvement of hot-carrier-induced degradation for sub-0.1 μm CMOSFET
机译:
小于0.1μmCMOSFET的热载流子引起的退化的有效改善
作者:
Chieh-Ming Lai
;
Yean-Kuen Fang
;
Wen-Kuan Yeh
;
Chia-Che Hu
;
Jung-Chun Lin
;
Shing-Tai Pan
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
88.
The impact of STI induced reliabilities for scaled p-MOSFET in an advanced multiple oxide CMOS technology
机译:
STI感应对先进的多氧化物CMOS技术中的比例p-MOSFET可靠性的影响
作者:
Chung S.S.
;
Yeh C.H.
;
Feng S.J.
;
Lai C.S.
;
Yang J.-J.
;
Chen C.C.
;
Jin Y.
;
Chen S.C.
;
Liang M.S.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
89.
Hot carrier degradation in LDMOS power transistors
机译:
LDMOS功率晶体管中的热载流子退化
作者:
Chih-Chang Cheng
;
Wu J.W.
;
Lee C.C.
;
Shao J.H.
;
Wang T.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
90.
Single-event-induced barrier lowering in deep-submicron MOS devices and circuits
机译:
深亚微米MOS器件和电路中单事件引起的势垒降低
作者:
Jain P.
;
Vasi J.
;
Lal R.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
91.
Influence of photoperturbation on the characterization accuracy of scanning capacitance microscopy MOSFET example
机译:
光扰动对扫描电容显微镜表征精度的影响MOSFET示例
作者:
Chang M.N.
;
Chen C.Y.
;
Wan W.W.
;
Liang J.H.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
92.
Novel IR-OBIRCH application in gate oxide failure analysis
机译:
新型IR-OBIRCH在栅极氧化物失效分析中的应用
作者:
Yang H.W.
;
Lee B.H.
;
Hwang R.L.
;
Chu L.H.
;
Su D.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
93.
Magnetic microscopy for ICs failure analysis : comparative case studies using SQUID, GMR and MTJ systems
机译:
用于IC故障分析的电磁显微镜:使用SQUID,GMR和MTJ系统的比较案例研究
作者:
Crepel O.
;
Poirier P.
;
Descamps P.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
94.
Opportunities and challenges for high-k gate dielectrics
机译:
高k栅极电介质的机遇与挑战
作者:
Ma T.P.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
95.
Packaging process induced retention degradation of 256 Mbit DRAM with negative wordline bias
机译:
封装工艺导致带有负字线偏置的256 Mbit DRAM的保留性能下降
作者:
Minchen Chang
;
Jengping Lin
;
Ruey Dar Chang
;
Shih S.N.
;
Chao-Sung Lai
;
Pei-Ing Lee
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
96.
Packaging process induced retention degradation of 256 Mbit DRAM with negative wordline bias
机译:
封装工艺导致带有负字线偏置的256 Mbit DRAM的保留性能下降
作者:
Minchen Chang
;
Jengping Lin
;
Ruey Dar Chang
;
Shih S.N.
;
Chao-Sung Lai
;
Pei-Ing Lee
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
97.
Understanding the NBTI degradation in halo-doped channel p-MOSFETs
机译:
了解光晕掺杂沟道p-MOSFET的NBTI退化
作者:
Jha N.K.
;
Rao V.R.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
98.
Reliability control monitor guideline of negative bias temperature instability for 0.13 μm CMOS technology
机译:
用于0.13μmCMOS技术的负偏置温度不稳定性的可靠性控制监视器指南
作者:
Wang C.S.
;
Chang W.C.
;
Ke W.S.
;
Lee C.F.
;
Su K.C.
;
Chang Y.J.
;
Chou E.N.
;
Chen M.J.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
99.
The application of scanning capacitance microscopy in device failure analysis doping profile determination
机译:
扫描电容显微镜在器件故障分析中的应用掺杂分布确定
作者:
Lau Y.M.
;
Lim V.S.W.
;
Ang L.B.
;
Trigg A.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
100.
Spectral imaging in infrared microscope semiconductor device/IC investigation
机译:
红外显微镜中的光谱成像半导体器件/ IC研究
作者:
Bailon M.F.
;
Soriano M.
;
Tarun A.B.
;
Saloma C.
会议名称:
《IEE Colloquium on New Directions in VLSI Design, 1989》
|
1989年
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