机译:伽马辐射对沟槽栅非穿通绝缘栅双极晶体管电学特性的影响
Myongji Univ, Dept Mat Sci & Engn, 116 Myongji Ro, Yongin 449728, Gyeonggi Do, South Korea|Korea Atom Energy Res Inst, 1045 Daedeok Daero, Daejeon 305353, South Korea;
Myongji Univ, Dept Mat Sci & Engn, 116 Myongji Ro, Yongin 449728, Gyeonggi Do, South Korea;
Korea Atom Energy Res Inst, 1045 Daedeok Daero, Daejeon 305353, South Korea;
Myongji Univ, Dept Mat Sci & Engn, 116 Myongji Ro, Yongin 449728, Gyeonggi Do, South Korea;
insulated gate bipolar transistor; gamma irradiation; total dose effects; trench gate IGBT;
机译:γ辐射对沟槽非孔绝缘栅双极晶体管电气特性的影响
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