机译:KEKB正电子环在强光子辐照下TiN涂层和NEG(Ti-Zr-V)涂层的光电子和二次电子产率的连续研究
Accelerator Research Organization (KEK), 1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan;
electron cloud instability; secondary electron yield; photoelectron yield; NEG coating; TiN coating;
机译:强光子辐照下NEG材料(Ti-Zr-V)涂层二次电子和光电子产率的首次实验和模拟研究
机译:使用KEKB正电子环对TiN和NEG涂层的光电子和二次电子产率的最新研究
机译:气体离子轰击对TiN,TiCN和TiZrV涂层二次电子产率的影响,以抑制储存环中的集体电子效应
机译:KEKB正电子环上的光电子和二次电子产量的光电子和二次电子产量研究
机译:超薄保护涂层的制备及X射线光电子能谱和光谱椭圆形分析
机译:各种清洗方法对水基缓冲层浸涂Ni-5%W衬底的影响:X射线光电子能谱研究
机译:气体离子轰击对TiN,TiCN和TiZrV涂层二次电子产率的影响,以抑制储存环中的集体电子效应
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