机译:气体离子轰击对TiN,TiCN和TiZrV涂层二次电子产率的影响,以抑制储存环中的集体电子效应
Stanford Linear Accelerator Ctr, Menlo Pk, CA 94025 USA;
Paul Scherrer Inst, CH-5232 Villigen, Switzerland;
thin film; multipacting; getter; electron cloud; secondary electron emission; ion conditioning; EMISSION; FILMS;
机译:TiZrV-Pd薄膜涂层的二次电子产率研究
机译:使用KEKB正电子环对TiN和NEG涂层的光电子和二次电子产率的最新研究
机译:KEKB正电子环在强光子辐照下TiN涂层和NEG(Ti-Zr-V)涂层的光电子和二次电子产率的连续研究
机译:KEKB正电子环上的光电子和二次电子产量的光电子和二次电子产量研究
机译:电子感应的不带电绝缘材料的电子产率。
机译:储存环自由电子激光器中高次谐波振荡的电子束加长
机译:气体离子轰击对TiN,TiCN和TiZrV涂层二次电子产率的影响,以抑制储存环中的集体电子效应
机译:气体离子轰击对TiN,TiCN和TiZrV涂层二次电子产率的影响抑制储存环中的集体电子效应