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机译:SiGe HBT功率放大器和SiGe HBT压控振荡器之间的K波段衬底耦合研究
BiCMOS analogue integrated circuits; Ge-Si alloys; MMIC oscillators; MMIC power amplifiers; coupled circuits; heterojunction bipolar transistors; microwave bipolar transistors; substrates; voltage-controlled oscillators; 23 GHz; 24 GHz; HBT power amplifier; HBT volt;
机译:3.2-MW超低功耗173-207-GHz放大器,具有130nm SiGe HBT,在饱和度下运行
机译:用于无线功率放大器应用的SiGe HBT优化
机译:SiGe HBT用于功率放大器的可靠性-第二部分:基础物理和损伤建模
机译:用于X到K频段应用的SiGe / Si功率HBT
机译:SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
机译:SiGe HBT局部应力过程中Au / Pt / Ti-Si3N4界面缺陷和反应的STEM纳米分析
机译:SiGe HBTS无线功率放大器应用的优化
机译:K波段si / siGe HBT mmIC放大器采用集成无源元件和微机械结构