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机译:用于描述多孔低k材料中等离子体损伤对数时间依赖性的集成扩散复合模型
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee. Belgium;
Institute for Theoretical Physics, Utrecht University, Leuvenlaan 4, 3584 CE Utrecht, The Netherlands;
lnstituut voor theoretische fysica, Celestijnenlaan 200D, 3001 Heverlee, Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee. Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee. Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee. Belgium;
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Heverlee. Belgium;
plasma damage; recombination; diffusion; low-k; porous;
机译:多孔低k材料中孔隙后等离子体保护免受真空-紫外线损害的功效
机译:走向多孔低k材料的成功整合:解决等离子体损伤的策略
机译:超多孔低k材料的等离子体损伤与介电可靠性之间的相关性
机译:椭偏孔隙率法:表征多孔低K的快速无损技术;等离子体损伤和水对处理材料的影响的重点
机译:用于高级互连的多孔低k电介质的机械可靠性:多孔低k电介质的不稳定性机理及其通过惰性等离子体引发的骨架结构再聚合的介导研究。
机译:在−50°C以上的条件下使用微毛细管冷凝对多孔有机硅低k进行无损等离子体刻蚀
机译:用于描述多孔低k材料中等离子体损伤对数时间依赖性的集成扩散复合模型