SOPRA SA, 26 rue Pierre Joigneaux, 92270 Bois Colombes , France;
SOPRA Inc, 407 S.California Ave, #11, Palo Alto, CA 94306, USA;
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机译:使用互补技术的纳米多孔超低k电介质的结构研究:椭偏孔隙率法,X射线反射率和掠入射小角度X射线散射
机译:等离子体处理的多孔SiOCH膜的多溶剂椭偏孔隙率分析
机译:椭偏孔隙率法测定多孔低k薄膜的杨氏模量
机译:椭圆尺寸孔隙测定法:快速和非破坏性技术,用于多孔低k的表征;偏振对处理材料的血浆损伤和水效应
机译:等离子体对多孔低k的损伤机理研究:工艺开发和介电恢复。
机译:在−50°C以上的条件下使用微毛细管冷凝对多孔有机硅低k进行无损等离子体刻蚀
机译:椭偏孔隙率法,紫外椭偏法和激光诱导的表面声波研究SOG低k材料的加硬和亲水化
机译:水反应堆燃料表征。反应堆燃料特性非破坏性技术协调计划的一部分。 1979年11月15日至1983年6月15日期间的最后报告