...
机译:演示以氮氧化硅为栅极绝缘体的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
Research Center for Nano-Devices and System, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-Cho, Showa-Ku, Nagoya 466-8555, Japan;
AlGaN; GaN; HEMT; MOSHEMT; Transconductance;
机译:以SiO_2和SiN为栅绝缘体的AlGaN / GaN双绝缘体金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的制作
机译:翅片纳米纳米阵列栅极凹陷AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:具有TiO_2 / SiN栅极绝缘体的高击穿电压AlGaN / GaN金属绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
机译:在8英寸硅(111)基板上生长的凹陷 - 栅极AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的稀释KOH钝化性能改进
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管,具有偏振P(VDF-TRFE)铁电聚合物门控