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机译:雾化喷雾热解技术对退火温度对掺锡CdO薄膜物理性能的影响
VHNSN Coll Autonomous, Res Dept Phys, Virudunagar 626001, Tamil Nadu, India|Sri Vidhya Coll Arts & Sci, Dept Phys, Virudunagar 626001, Tamil Nadu, India;
VHNSN Coll Autonomous, Dept Chem, Virudunagar 626001, Tamil Nadu, India;
VHNSN Coll Autonomous, Res Dept Phys, Virudunagar 626001, Tamil Nadu, India;
Arul Anandar Coll, PG & Res Dept Phys, Madurai 625514, Tamil Nadu, India;
VHNSN Coll Autonomous, Res Dept Phys, Virudunagar 626001, Tamil Nadu, India;
Thin films; CdO; Crystal structure; Optical properties; Luminescence; Electrical properties; Solar cell;
机译:退火温度对雾化喷雾热解技术对Sn掺杂CDO薄膜物理性质的影响
机译:前驱体浓度对使用喷雾器喷雾热解技术制备的CdO薄膜物理性能的影响
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机译:硼掺杂对CDO薄膜的结构,光学和电性能喷雾热解技术
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机译:雾化喷雾热解法研究衬底温度对(111)取向CdIn2s4薄膜物理性质的影响