机译:使用光热原位氧化方法氧化钨非易失性存储器件
Korea Adv Inst Sci & Technol Daejeon South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Daejeon South Korea;
Univ Calif Berkeley Berkeley CA 94720 USA;
Korea Inst Sci & Technol Wonju South Korea;
Korea Inst Sci & Technol Wonju South Korea;
Korea Adv Inst Sci & Technol Daejeon South Korea;
Nonvolatile memory; Resistive switching; Tungsten oxide; Photothermal oxidation;
机译:用于非易失性存储设备的氧化钨/钨纳米晶体
机译:使用Fowler-Nordheim编程和热孔擦除方法的70 nm氧化硅-氮化物-氧化硅-非易失性存储器件
机译:具有分离的包含不同隧穿氧化物厚度的双栅鳍式场效应晶体管结构的纳米级两比特非常规型氧化硅-氮化物-氧化硅-硅非易失性存储器件的仿真
机译:基于二元过渡金属氧化物的逐层组装非易失性存储器件的制造
机译:多晶硅-氮氧化物-氧化硅(SONOS)非易失性半导体存储器件的设计,制造和表征。
机译:用原位透射电镜研究由氧化钨和铜构成的电阻型随机存取存储器的开关操作和性能下降
机译:电极:具有皱纹表面的石墨烯氧化物电极,用于非易失性聚合物存储器件相容性(小方法7/2018)