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机译:使用单甲基硅烷通过等离子化学气相沉积在Si(100)衬底上异质外延生长3C-SiC膜
Graduate School of Natural Science and Technology, Okayama University, Okayama 700-8530, Japan;
机译:硅衬底上三极管等离子体化学气相沉积法在硅衬底上低温异质外延生长3C-SiC
机译:硅衬底上三极管等离子体化学气相沉积法在硅衬底上低温异质外延生长3C-SiC
机译:单甲硅烷大气压等离子体化学气相沉积高速率制备多晶3C-SiC薄膜的结构表征
机译:通过单源化学气相沉积在MEMS(Si)(100)衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜
机译:通过等离子增强化学气相沉积在聚合物基材上沉积无机薄膜。
机译:微波等离子体化学气相沉积法在4H-SiC上异质外延金刚石生长
机译:通过在sOI(100)衬底上化学气相沉积异质外延siC膜形成的半导体纳米孔