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机译:宽带光电器件应用中等级应变体InGaAs / InP的MOVPE增长
National Research Center of Optoelectronic Technology, Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Science, Beijing 100083, People's Republic of China;
A1. graded-strain; A1. high resolution X-ray diffraction; A3. metalorganic vapor phase epitaxy; B2. InGaAs; B3. broadband semiconductor optoelectronic device;
机译:LP-MOVPE使用非气态源生长的RTD和HBT器件应用的InAIAs / InGaAs / InP异质结构
机译:基于InP的二维光子晶体InP和InGaAs柱结构的选择性区域MOVPE生长
机译:电子和光电子器件应用中GaAs,InP,InAs和GaSb(001)衬底上ZnTe的生长和材料特性
机译:使用叔丁基膦的大气压和低压MOVPE对InP和InGaAsP光电器件材料的生长做出贡献
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:在光电器件应用中在聚合物衬底上自底向上生长n型单层分子晶体
机译:InGaAs / Feal / InAlas / InP异质结构的生长和性质在InGaAs Higholopholic Device中的埋地反射器/互连应用
机译:用于InGaas热光电器件中埋入式反射器/互连应用的InGaas / Feal / Inalas / Inp异质结构的生长和性质