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【2h】

Growth and properties of InGaAs/FeAl/InAlAs/InP heterostructures for buried reflector/interconnect applications in InGaAs thermophotovoltaic devices

机译：InGaAs / Feal / InAlas / InP异质结构的生长和性质在InGaAs Higholopholic Device中的埋地反射器/互连应用

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S. A. Ringel; R. N. Sacks; L. Qin; M. B. Clevenger; C. S. Murray;
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年度 1999
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1. Molecular beam epitaxy grown 0.6 eV n/p lnPAs/InGaAs/InAlAs double heterostructure thermophotovoltaic devices using carbon as the p-type dopant [J] . Wernsman B, Bird T, Sheldon M, Journal of Vacuum Science & Technology. B, Microelectronics and Nanometer Structures . 2006,第3期

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2. Characterization of Oxides Formed on InP, InGaAs, InAlAs, and InGaAs/InAlAs Heterostructures at 300–500°C [J] . R. J. Hussey, G. I. Sproule, J. P. McCaffrey, Oxidation of Metals . 2002,第5a6期

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