机译:在N_2环境中使用叔丁基ar(TBA)和叔丁基膦(TBP)生长InP和InGaAs的金属有机气相外延(MOVPE)生长
机译:宽带光电器件应用中等级应变体InGaAs / InP的MOVPE增长
机译:通过五步MOVPE生长对偏振不敏感的InGaAsP / InP垂直耦合器和深光栅
机译:使用叔丁基膦对INP和InGaAsp光电器件材料的增长贡献
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:用于NUV光电器件的含MF3(M = YLa)纳米晶体的Tb3 + / Eu3 +共活化溶胶-凝胶玻璃陶瓷材料的能量转移研究
机译:用于光电设备的基于InP的材料:MOVPE的旧问题和新挑战”
机译:三甲胺铝烷用于低压mOVpE生长alGaas基材料和器件结构。