摘要：本研究采用热解氮化硼(pBN)坩埚生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体,并与采用内壁涂碳的石英坩埚生长的晶体进行了对比分析。本文获得的晶体尺寸为φ455mm×110mm,(111)衬底晶片面积最大可达40mm×30mm,测试分析结果显示:Everson腐蚀坑密度小于2×104cm-2,且分布均匀,无网络状分布结构,与石英熏碳坩埚相比,结构质量有了明显提高；第二相夹杂物尺寸小于2μm,密度为0～1×103 cm-3；(111)B晶片的X-ray反射貌相图显示,晶体的结构均匀,完整性较好。上述晶体质量评价指标均优于采用石英熏碳坩埚生长获得的晶体,而且更为重要的是,上述各项指标在同一晶锭的各晶片上基本重复,这说明了单晶具有良好的均匀性,有利于生长均匀的碲镉汞外延层。
