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一类酯基噻唑类宽带隙聚合物及其在光电器件中的应用

摘要

本发明公开了一种新型酯基噻唑类宽带隙聚合物材料,其结构式见式Ⅰ或式Ⅱ:式中,R1为C1~C20的烷基或烷基上的一个碳原子被氧原子、硫原子中的一种官能团取代;X选自H、Cl或F;R2选自不同长度的烷基链(C1~C30);Ar选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩;n取值为10~100。本发明所述聚合物材料以BDT基单元为给电子(D)单元,以含有酯基的噻唑为缺电子单元(A);在带隙为1.8~2.0eV范围内具有较好的吸收、较深的最高占有空轨道和良好的溶解性,且涉及的制备成本较低;可用作电子给体材料或者电子传输层材料,在有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等光电器件领域具有良好的商业化应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN113929880A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉工程大学;

    申请/专利号CN202111273463.1

  • 申请日2021-10-29

  • 分类号C08G61/12(20060101);H01L51/46(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人李欣荣;崔友明

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

  • 入库时间 2023-06-19 13:55:46

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