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机译:亚微米三重材料栅极(TM)GaN MESFET的新二维分析亚阈值行为模型
LEA, Department of Electronics, University of Batna, 05000 Batna, Algeria,Department of Electronics, University of El Oued, 39000 El Oued, Algeria;
LEA, Department of Electronics, University of Batna, 05000 Batna, Algeria;
Triple-material gate; GaN MESFET; Channel potential; Subthreshold behavior; Short channel effects (SCEs); Work function;
机译:亚阈值行为的二维分析模型,用于研究深亚微米双栅GaN-MESFET的定标能力
机译:新优化的双材料(DM)栅极设计可提高亚阈值状态下的亚微米GaN-MESFET的可靠性
机译:短沟道三材料双栅极(TM-DG)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:亚微米双材料门GaN MESFET的分析模型,包括温度效应
机译:用于MMIC器件制造的亚微米自对准栅极砷化镓镓MESFET处理技术。
机译:二维神经模型中对振荡输入的频率偏好响应:亚阈值幅度和相位共振的几何方法
机译:三材料圆柱型全栅(TM-CGAA)MOSFET的亚阈值分析
机译:超亚微米栅极Gaas mEsFET的电子束平版印刷