科研证明
文献服务
退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:利用接触光照相术制造亚微米级栅极Gas MESFET的工艺
公开/公告号IN165431B
专利类型
公开/公告日1989-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 COUNCIL OF SCIENTIFIC & INDUSTRIAL RESEARCH;
申请/专利号IN1985DEL400
发明设计人 DAGA OM PRAKASH;KHOKLE WAMAN SADASHIV;SINGH BABU RAM;
申请日1985-05-15
分类号G03C1/90;G03C1/04;G03C1/50;
国家 IN
入库时间 2022-08-22 06:38:59
机译: 具有耐火接触和自对准冷门制造工艺的高速GAAS MESFET
机译: 具有难熔触点和自对准冷栅制造工艺的高速GaAs MESFET
机译: 具有难熔触点和自对准冷栅制造工艺的高速GaAs测量