机译:三材料圆柱型全方位栅极(TM-CGAA)MOSFET的分析阈值电压模型
机译:短沟道三材料双栅极(TM-DG)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:具有负差分电阻和负跨导行为的双金属注入三重材料圆柱形栅极 - 全纳米线FET的设计与分析
机译:肖特基势垒源极/漏极双栅全环绕(DGAA)MOSFET的亚阈值电流和亚阈值摆幅的分析模型
机译:亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
机译:P型门 - 全面硅纳米线MOSFET的低温传输特性
机译:全耗尽硅 - 绝缘体(SOI)G 4 -FET和门 - 全周(GAA)MOSFET的性能分析