用于改进的亚阈值MOSFET性能的I形栅极电极

摘要

本发明揭示具有减少的亚阈值传导的金属氧化物半导体MOS晶体管，以及其制造方法。在这些晶体管中制造具有某一形状和尺寸的晶体管栅极结构以从隔离电介质结构与晶体管有效区域之间的界面重叠到有效区上。最小沟道长度传导因此在隔离到有效界面处不可用，而是大体上加长了沿着所述界面的沟道长度，从而减少断开状态传导。