机译:双栅异质结隧道FinFET的表面电势和阈值电压的解析模型
Mizoram Univ, Dept Elect & Commun Engn, Aizawl 796004, India;
Mizoram Univ, Dept Elect & Commun Engn, Aizawl 796004, India;
Natl Inst Technol, Dept Elect & Commun Engn, Silchar, India;
DG tunnel FinFET; Threshold voltage; Surface potential; TCAD;
机译:双材料栅极(DMG)SOI FinFET中的表面电势,阈值电压和亚阈值摆幅的3D分析建模
机译:栅漏重叠FinFET中的表面电势和阈值电压的分析模型
机译:Si / Ge异质结FinFET中阈值电压和亚阈值摆幅的分析模型
机译:短沟道对称双栅MOSFET的解析电势和阈值电压模型
机译:45 nm栅极长度n-MOSFET陷阱引起的阈值电压波动仿真的比较分析和分析模型预测。
机译:单轴应变对双栅石墨烯纳米带场效应晶体管性能影响的分析模型
机译:用于阈值电压调整和改善性能的新型双栅InGaAs垂直纳米线晶体管器件的分析建模和数值模拟