机译:具有负温度依赖性的多晶硅中的晶界限制载流子迁移率:基于陷阱辅助隧穿的通过晶界陷阱的载流子传导模型
Toshiba Memory Corp, Inst Memory Technol Res & Dev, Saiwai Ku, 1 Komukai Toshiba Cho, Kawasaki, Kanagawa 2128583, Japan;
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机译:多晶硅中电流传导的热电子发射扩散模型及迁移率的温度依赖性
机译:载流子迁移率和捕获的电荷限制的导电对掺杂的聚吡咯纳米结构中银纳米颗粒嵌入的影响
机译:载流子迁移率和捕获的电荷限制的导电对掺杂的聚吡咯纳米结构中银纳米颗粒嵌入的影响
机译:慢少数载体在Czochralski硅具有高浓度热施主的温度依赖性
机译:载流子迁移率,电荷陷阱对重掺杂有机发光二极管和基于Europlum(lll)的红色OLED的效率产生影响。
机译:Sn掺杂改善多晶Ge的载流子迁移率
机译:在低温下在缩放的硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管中单载流子捕获和去陷阱