机译:通过SN掺杂改善多晶GE的载流子移动性
机译:缩回:“具有高载流子迁移率(〜550cm〜2 / V s)的绝缘体上掺Sn的多晶Ge膜的晶核控制低温固相结晶”。物理来吧112,242103(2018)]
机译:高载流子迁移率(〜550cm〜2 / V s)的绝缘子上掺锡多晶Ge薄膜的成核控制低温固相结晶
机译:界面调制固相结晶与减薄相结合改善了掺锡锗薄膜(≤50nm)的载流子迁移率
机译:载流子迁移率,电荷陷阱对重掺杂有机发光二极管和基于Europlum(lll)的红色OLED的效率产生影响。
机译:溴重掺杂可改善n型多晶SnSe的热电性能
机译:通过SN掺杂改善多晶GE的载流子移动性