载流子穿越具有双Mott势垒的半导体晶界的输运行为

摘要

讨论了穿越具有双Ｍｏｔｔ势垒的ｎ型半导体晶界的载流子输运行为，重点分析了受主缺陷扩散层对偏压下晶界势垒、直流电流、非线性特性和电容等的作用。晶界势垒在偏压下的变化决定了载流子穿越晶界的输运行为分为预击穿、击穿和回复三个区域。受主缺陷扩散层的存在改变了势垒及其偏压关系，使电流的变化和非线性特性大幅度加强，很大程度上决定了预击穿区的漏电流；同时也使势垒加宽而减小高频电容，但使直流偏压下因晶界电荷的共振