机译:通过3-D器件仿真在130 nm块状SRAM上中子诱导SEU情况下的电荷共享研究
Bulk; SEU; SRAM; TCAD simulations; charge sharing; diffusion; neutron; Bulk; SEU; SRAM; TCAD simulations; charge sharing; diffusion; neutron;
机译:与传统的平面SRAM比较的中子诱导Fin SRAM电荷收集模拟
机译:从中子诱导的SER的电路和器件模拟推论SRAM中SEU发生的标准
机译:SRAM中中子诱发的SEU:n-Si和n-O相互作用的模拟
机译:用3-D设备仿真建模的130nm批量SRAM的中子诱导SEU的电荷分享研究
机译:亚事件100 nm以下CMOS技术中单事件感应电荷共享的影响。
机译:与机械对准的全膝关节置换术相比运动对准受限的间隙失衡更少:通过CT扫描创建的3-D骨模型模拟
机译:SEU在散装和GE SRAM中的建模与仿真