SRAM器件的14MeV中子单粒子效应实验研究

摘要

空间中的高能初级宇宙射线可克服地磁场的屏蔽作用进入到临近空间(距地面20~100 km所包含的空域),与大气中氮、氧等原子碰撞发生核反应,产生大量次级中子。次级中子可在临近空间飞行器电子系统的半导体器件中产生单粒子效应,严重威胁飞行器的安全性和可靠性。针对上述问题,利用中国原子能科学研究院的高压倍加器装置产生的14 MeV准单能中子束,对飞行器电子系统中的重要部件——SRAM(静态随机存储器)开展中子单粒子效应实验研究。