静态随机存储器
静态随机存储器的相关文献在1988年到2022年内共计455篇,主要集中在无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术、航天(宇宙航行)
等领域,其中期刊论文130篇、会议论文24篇、专利文献3477107篇;相关期刊80种,包括军民两用技术与产品、核电子学与探测技术、原子能科学技术等;
相关会议17种,包括第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛、第十七届计算机工程与工艺年会暨第三届微处理器技术论坛、2013年航天可靠性学术交流会等;静态随机存储器的相关文献由657位作者贡献,包括拜福君、俞柳江、熊保玉等。
静态随机存储器—发文量
专利文献>
论文:3477107篇
占比:100.00%
总计:3477261篇
静态随机存储器
-研究学者
- 拜福君
- 俞柳江
- 熊保玉
- 陈静
- 王曦
- 罗杰馨
- 何伟伟
- 彭春雨
- 郑坚斌
- 吴秀龙
- 蔺智挺
- 陈金明
- 崔江维
- 韩郑生
- 卢文娟
- 张弓
- 张昭勇
- 胡剑
- 赵凯
- 陈军宁
- 黎轩
- 于芳
- 余学峰
- 刘忠立
- 刘建成
- 海潮和
- 潘劲东
- 王林
- 郑齐文
- 郭刚
- 郭红霞
- 陈伟
- 高见头
- 亚历山大
- 付妮
- 伍青青
- 史淑廷
- 周玉梅
- 姚其爽
- 张景波
- 柴展
- 王楠
- 罗尹虹
- 赵发展
- 郭旗
- 陈建军
- 黎力
- 丛忠超
- 仲纪者
- 何佳
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赵雯;
赵凯;
陈伟;
沈鸣杰;
王坦;
郭晓强;
贺朝会
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摘要:
针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRAM SEU敏感性的影响机理。研究结果表明:对5款被测FDSOI SRAM而言,抗SEU能力由弱到强依次为八管加固型SRAM2、冗余加固型SRAM1、双互锁结构(DICE)型SRAM3或SRAM4、双DICE型SRAM5;3款DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU性能优于其他两款SRAM;虽然DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU能力强,但读写错误致存储阵列MCU的影响不可忽略,且该影响随SRAM工作频率的提高愈加严重;衬底偏置通过对寄生双极放大效应的控制来影响FDSOI SRAM的SEU敏感性。
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王番;
施敏华;
常亮
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摘要:
卫星上常用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)器件易受到空间环境中高能粒子辐射发生单粒子翻转,从而可能导致电路出现故障,引起卫星无法正常工作。针对此问题,文章采取的抗单粒子翻转方法是通过FPGA的内部访问接口(ICAP),对配置数据进行回读刷新,并使用纠错能力更强的RM(2,5)码来替代常用的FRAME_ECC纠错码,最高可以支持对3个比特位的翻转进行检错纠错,进一步提高了系统的纠错能力。除此外,还对刷新控制电路部分进行三模冗余加固处理,降低了刷新控制电路出现单粒子翻转的可能性。并且对冗余模块增加错误判断,可及时识别冗余部分是否发生单粒子翻转,避免由于错误累积可能导致多个冗余模块发生故障的现象。通过以上措施的改进,提高了系统的可靠性。同时在布局布线过程中,将待刷新电路与刷新控制电路进行分布式布局,使得对待刷新电路帧地址的确定更加方便。最后,通过实验仿真论证了改进后的内部刷新系统容错率是传统内部刷新系统的2.56倍。
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吴昊;
朱翔;
韩建伟;
上官士鹏;
马英起;
李悦;
赵旭;
杨涵
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摘要:
高密度CMOS工艺SRAM对单粒子锁定极端敏感的特性使其在空间应用时必须采取相应的防护策略。对于抗辐照能力较弱的CTOS,电路级防护成为提高系统可靠性的一项重要内容。利用激光单粒子效应试验装置,对CYPRESS公司的CY62167DV30LL型SRAM开展了一系列单粒子锁定效应试验。通过对试验结果进行线性拟合,计算出该款SRAM维持电压为1.5~1.6 V,维持电流为9.9~11.2 mA。根据维持电流、维持电压、工作电流、工作电压,对能否采用电路级防护做出判断。提出了电源限流和分压电阻两种电路级防护方法,并定量计算出电源限流取值和分压电阻取值范围。以往文献中电阻只是作为锁定被触发后限流的一种手段,并不能阻止器件发生锁定,本研究发现在满足一定条件下分压电阻可达到退出锁定的目的。两种防护方法均通过脉冲激光试验进行了验证。
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张景波;
朱亚男;
彭春雨;
赵强
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摘要:
为了提高航空航天设备的可靠性和运行速度,提出了一种新型读写分离的14T静态随机存储器(SRAM)单元。基于65 nm体硅CMOS工艺,对读写分离14T存储单元的性能进行仿真,并通过在关键节点注入相应的电流源模拟高能粒子轰击,分析了该单元抗单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)的能力。与传统6T相比,该单元写速度、读静态噪声容限和位线写裕度分别提升了约5.1%、20.7%和36.1%。写速度优于其他存储单元,读噪声容限优于6T单元和双联锁存储单元(DICE),在具有较好的抗SEU能力的同时,提高了读写速度和读静态噪声容限。
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高国平;
赵维林
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摘要:
业内常用静态随机存储器(SRAM)物理不可克隆函数(PUF)通过片上SRAM上电初始状态的固有物理特性生成系统安全密钥。但在系统不能充分掉电的情况下,片上集成SRAM上电后保持了上次掉电前的状态,无法生成固有的物理特性密钥。提出了一种在系统不能充分掉电情况下的电源控制电路,确保SRAM单元充分掉电,从而保证片上SRAM上电初始状态的物理特性。
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吴旭景;
王蒙军;
吴建飞;
李彬鸿;
郝宁;
高见头;
李宏;
张红丽
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摘要:
考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.
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胡文菲;
叶佐昌;
王燕
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摘要:
随着特征尺寸不断缩小,工艺浮动对良率的影响愈发严重。而集成电路中重复次数很大的电路模块,例如SRAM单元,需要极高的良率。此时,传统的良率分析方法如蒙特卡洛方法,以及传统的电路优化方法如差分进化方法所需的超大的计算量变得难以接受,工艺角分析也面临着严峻的过度设计问题。因此针对极高成品率电路的良率分析和优化成为一个重要的研究方向。调研了学术界和工业界在高Sigma良率分析与优化领域的相关算法,并对重要性采样等典型算法、良率优化通用流程等进行了分析。
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李洋;
贺朝会;
李永宏;
杨卫涛;
魏佳男
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摘要:
通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象.采用Cadence软件设计了3×3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种新的电路结构来修正理想电流源串联引发的错误;采用软件模拟方法实现了多位翻转和多单元翻转仿真,分析认为多位翻转和多单元翻转可以通过外围电路进行相互转换,实验所用SoC存储器具有较好的抗多位翻转性能.
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陈通;
赵振宇;
陈建军;
胡昆昆
- 《第十八届计算机工程与工艺年会暨第四届微处理器技术论坛》
| 2014年
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摘要:
静态随机存储器(SRAM)越来越多地被当作宏模块使用,它的时序模型在很大程度上制约着后端物理设计.针对SRAM的时序特征参数提取速度慢的问题,提出了一种基于线性插值的SRAM输出端口Q延时时间的快速生成算法.此算法是基于一款130nm商用工艺单端口SRAM结构的规整性和容量变化的规律性,运用了一维线性分段函数的思想,快速生成Q端口延迟信息.实验数据表明:算法生成的数据误差在允许范围内,该算法能在生成时序参数的速度和精度之间做出权衡.
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何运花;
吴家铸;
陈建军;
邵津津
- 《第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛》
| 2015年
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摘要:
异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计.本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(ATD:address translate detector);该ATD电路能够自动检测片选使能信号、读写使能信号和地址信号的变化而产生一个脉冲信号,并在电路中设计一个能够有效屏蔽噪声干扰的反馈回路;针对集成电路在空间辐射环境下容易发生单粒子闩锁(SEL:single-event latchup)的特点,结合SEL失效原理,本文进一步在版图上对ATD提出了相应的SEL加固技术.通过对加固后ATD版图的模拟,证明了采用加固方法所设计的ATD电路能够自动探测输入变化,并具有良好的抗噪声干扰能力.
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何运花;
吴家铸;
陈建军;
邵津津
- 《第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛》
| 2015年
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摘要:
异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计.本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(ATD:address translate detector);该ATD电路能够自动检测片选使能信号、读写使能信号和地址信号的变化而产生一个脉冲信号,并在电路中设计一个能够有效屏蔽噪声干扰的反馈回路;针对集成电路在空间辐射环境下容易发生单粒子闩锁(SEL:single-event latchup)的特点,结合SEL失效原理,本文进一步在版图上对ATD提出了相应的SEL加固技术.通过对加固后ATD版图的模拟,证明了采用加固方法所设计的ATD电路能够自动探测输入变化,并具有良好的抗噪声干扰能力.
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何运花;
吴家铸;
陈建军;
邵津津
- 《第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛》
| 2015年
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摘要:
异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计.本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(ATD:address translate detector);该ATD电路能够自动检测片选使能信号、读写使能信号和地址信号的变化而产生一个脉冲信号,并在电路中设计一个能够有效屏蔽噪声干扰的反馈回路;针对集成电路在空间辐射环境下容易发生单粒子闩锁(SEL:single-event latchup)的特点,结合SEL失效原理,本文进一步在版图上对ATD提出了相应的SEL加固技术.通过对加固后ATD版图的模拟,证明了采用加固方法所设计的ATD电路能够自动探测输入变化,并具有良好的抗噪声干扰能力.
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何运花;
吴家铸;
陈建军;
邵津津
- 《第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛》
| 2015年
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摘要:
异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计.本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(ATD:address translate detector);该ATD电路能够自动检测片选使能信号、读写使能信号和地址信号的变化而产生一个脉冲信号,并在电路中设计一个能够有效屏蔽噪声干扰的反馈回路;针对集成电路在空间辐射环境下容易发生单粒子闩锁(SEL:single-event latchup)的特点,结合SEL失效原理,本文进一步在版图上对ATD提出了相应的SEL加固技术.通过对加固后ATD版图的模拟,证明了采用加固方法所设计的ATD电路能够自动探测输入变化,并具有良好的抗噪声干扰能力.
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何运花;
吴家铸;
陈建军;
邵津津
- 《第十九届计算机工程与工艺年会暨第五届微处理器技术论坛》
| 2015年
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摘要:
异步SRAM的结构和速度与同步SRAM有很大的差异,为了降低SRAM的维持功耗和提高工作速度,通常要针对异步SRAM特殊模块进行定制设计.本文针对异步抗辐射SRAM的特定要求,设计了一种地址转换监控电路(ATD:address translate detector);该ATD电路能够自动检测片选使能信号、读写使能信号和地址信号的变化而产生一个脉冲信号,并在电路中设计一个能够有效屏蔽噪声干扰的反馈回路;针对集成电路在空间辐射环境下容易发生单粒子闩锁(SEL:single-event latchup)的特点,结合SEL失效原理,本文进一步在版图上对ATD提出了相应的SEL加固技术.通过对加固后ATD版图的模拟,证明了采用加固方法所设计的ATD电路能够自动探测输入变化,并具有良好的抗噪声干扰能力.