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SRAM型FPGA中子单粒子效应试验控制方法与装置

摘要

本发明涉及SRAM型FPGA中子单粒子效应试验控制方法,包括:S1:对器件的多个控制参数进行设置与计算;S2:在完成设置与计算的多个控制参数组合的约束条件下对器件进行控制。本发明明确规定了试验应当控制的参数条件以及约束各参数的控制方法,优化并提出了完整的试验过程控制理论方法,保证了试验结果的正确性,也为保证航空/航天系统在空间环境中系统可靠性研究奠定了基础。本发明还公开了SRAM型FPGA中子单粒子效应试验控制装置。

著录项

  • 公开/公告号CN105609139B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410677689.1

  • 发明设计人 王群勇;梁力;陈冬梅;陈宇;

    申请日2014-11-21

  • 分类号

  • 代理机构北京路浩知识产权代理有限公司;

  • 代理人李相雨

  • 地址 100089 北京市海淀区紫竹院路69号中国兵器大厦708室

  • 入库时间 2022-08-23 10:19:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-23

    授权

    授权

  • 2016-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/08 申请日:20141121

    实质审查的生效

  • 2016-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/08 申请日:20141121

    实质审查的生效

  • 2016-05-25

    公开

    公开

  • 2016-05-25

    公开

    公开

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