退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
余永涛; 陈毓彬; 水春生; 王小强; 冯发明; 费武雄;
工业和信息化部电子第五研究所;
广州 510610;
华南理工大学电子与信息学院;
广州 510641;
单粒子效应; 大容量SRAM; 抗辐射加固; Bulk CMOS工艺; SOI CMOS工艺; 重离子射程;
机译:测量倒装芯片封装的SRAM器件的α粒子诱导的SEU横截面的另一种方法:高能α背面辐射
机译:平面无结器件和无结SRAM的辐射性能
机译:焊接钢筋网加固RC梁的抗剪性能试验研究
机译:现有单筒RC聚合物水泥砂浆抗震加固梁的抗裂试验研究(第二部分抗裂加固的检验)
机译:使用单电子器件的低功耗多值逻辑SRAM单元。
机译:石墨烯量子点在有源层中的双重作用反向大容量异质结有机光伏器件的制造
机译:利用三阱CmOs提高大容量内置传感器检测单粒子效应的能力
机译:系带与马镫 - 抗爆结构中剪切加固的试验研究
机译:大容量隔膜,带有抗侧倾加固
机译:SRAM器件,SRAM器件和半导体器件的冗余电路
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。