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SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方法

摘要

本发明提供了一种SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方法,该SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方法包括:S1:配置SRAM型FPGA,在所述SRAM型FPGA中写入初始值,回读所述SRAM型FPGA中的写入值得到第一回读结果;S2:进行辐照,辐照第一预设的注量后,回读所述SRAM型FPGA中的写入值得到第二回读结果,将第二回读结果与第一回读结果比较,统计发生的错误数;S3:重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。本发明能够有效的对SRAM型FPGA中子单粒子效应进行试验,提高其试验结果的准确性。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-25

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C29/08 申请公布日:20160518 申请日:20141022

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-06-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C29/08 申请日:20141022

    实质审查的生效

  • 2016-05-18

    公开

    公开

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