SRAM器件反应堆中子单粒子翻转效应研究

摘要

本文开展了不同特征尺寸SRAM的反应堆中子单粒子效应实验，应用Geant4粒子输运工具模拟了反应堆裂变中子导致的中子单粒子效应。分析了制造工艺对SRAM器件低能中子单粒子效应的影响趋势。研究认为：SRAM器件临界电荷的减小是导致其中子单粒子效应敏感性增加的主导因素；与大尺寸器件相比，小尺寸SRAM器件的低能中子单粒子效应更为严重。