脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法

摘要

本发明涉及一种脉冲中子辐射条件下SRAM的中子单粒子翻转甄别方法，包括分类翻转字节；将不同翻转类型的字节对应的翻转位数进行蒙特卡罗模拟计算；统计计算随着翻转位数的累积，不同翻转类型的字节数及不同翻转类型字节包含的翻转位数的变化曲线；提取实验数据，根据模拟计算得到的曲线对实验数据点进行二次翻转效应修正，得到实际不同翻转类型的字节数及其对应的翻转位数及实际累计总翻转位数；将修正后的实验数据点与模拟计算曲线数据点对比，判断脉冲中子辐射效应是否符合单粒子翻转累积规律；解决了高注量率中子、缺乏中间注量点实验数据的条件下，难以确定脉冲中子辐射效应是否由单粒子翻转引起的问题。