Vanderbilt University.;
机译:90 nm体CMOS工艺中单事件引起的电荷共享的缓解技术
机译:晶体管密度和电荷共享对90nm体CMOS中单事件瞬态的影响
机译:亚100 nm批量CMOS工艺中SET脉冲宽度的缩放趋势
机译:在单事件诱导的电荷共享效应下降低SER的受限放置方法
机译:高级批量CMOS技术中总剂量效应的分析和建模。
机译:用于高速ATLAS Muon漂移管检测器的28 nm批量CMOS模拟前端
机译:基于设备 - 物理的分析模型,用于分析脉冲在10 nm散装CMOS过程中