机译:亚100 nm批量CMOS工艺中SET脉冲宽度的缩放趋势
机译:具有SET脉冲鉴别器的基于DICE的触发器在90 nm体CMOS工艺上
机译:脉冲淬火基于28 nm批量CMOS过程的模拟单事件瞬态缓解模拟单事件瞬态缓解的辐射硬化
机译:高速脉冲磁滞锁存设计可在20 nm批量CMOS工艺中提高SER性能
机译:亚事件100 nm以下CMOS技术中单事件感应电荷共享的影响。
机译:用于高速ATLAS Muon漂移管检测器的28 nm批量CMOS模拟前端
机译:单次事件效应的电路工程建模在亚100nmCMOS IC中的大带粒子冲击下的影响